[发明专利]硅衬底薄膜膜厚的测量方法无效
| 申请号： | 200810104540.9 | 申请日： | 2008-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101319886A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 曹歆 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01B15/02 | 分类号： | G01B15/02 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程殿军;张颖玲 |
| 地址： | 100871北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 薄膜 测量方法 | ||
1、一种硅衬底薄膜膜厚的测量方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
A、选取至少两种厚度的薄膜并分别沉积于硅衬底上，标定出所述至少两种厚度薄膜的尺寸；
B、对所述至少两种厚度的薄膜进行射线激发，利用硅探头分别检测被激发的硅电子特征信号的强度值；
C、利用所标定的薄膜尺寸及所检测的硅电子特征信号强度值建立薄膜厚度与硅电子特征信号强度之间的函数关系；
D、对待测量的硅衬底薄膜进行射线激发，利用硅探头检测被激发的硅电子特征信号的强度值，根据步骤C所建立的函数关系确定所述待测量硅衬底薄膜的厚度。
2、根据权利要求1所述的硅衬底薄膜膜厚的测量方法，其特征在于，步骤B和步骤D中的射线强度相等，所述射线强度能穿透薄膜但不能穿透硅衬底。
3、根据权利要求1所述的硅衬底薄膜膜厚的测量方法，其特征在于，所述射线为X射线，由X射线管发射。
4、根据权利要求1所述的硅衬底薄膜膜厚的测量方法，其特征在于，所述薄膜标定由专用薄膜标定设备标定或通过专用薄膜探头测量薄膜的厚度。
5、根据权利要求1所述的硅衬底薄膜膜厚的测量方法，其特征在于，步骤B中所述函数为线性函数。
6、根据权利要求1至5中任一项所述的硅衬底薄膜膜厚的测量方法，其特征在于，所述薄膜为除纯硅薄膜外的任一薄膜。
7、根据权利要求6所述的硅衬底薄膜膜厚的测量方法，其特征在于，所述薄膜包括：钛薄膜、铝薄膜、钨薄膜、氮化钛薄膜、钨硅薄膜、二氧化硅薄膜、氮化铝薄膜、碳化钛薄膜。
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