[发明专利]一种高输出效率的半导体发光管无效
| 申请号： | 200810104758.4 | 申请日： | 2008-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101567379A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 黄永箴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 输出 效率 半导体 发光 | ||
【权利要求书】：
1、一种高输出效率的半导体发光管，其特征在于，所述发光管由p面电极，n面电极和偶数个直角三角形发光单元构成：
所述直角三角形发光单元周围和相邻直角三角形发光单元之间由隔离沟道隔离；
所述隔离沟道深入至下限制层中；
所述下限制层直接位于衬底之上。
2.如权利要求1所述的发光管，其特征在于，所述直角三角形的直角边长在100到2000微米之间。
3.如权利要求1所述的发光管，其特征在于，所述隔离沟道宽度在5到100微米之间。
4、根据权利要求1所述的半导体发光管，其特征在于，所述直角三角形为等腰直角三角形。
5.根据权利要求1所述的半导体发光管，其特征在于，所述半导体发光管为GaN基半导体发光管。
6.根据权利要求1所述的半导体发光管，其特征在于，所述半导体发光管为GaAs基半导体发光管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
