[发明专利]一种热浸镀铝技术提高钕铁硼永磁体抗氧化性的方法无效
申请号: | 200810105199.9 | 申请日: | 2008-04-28 |
公开(公告)号: | CN101280402A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 郭志猛;岳晓岱;罗骥;林涛;郝俊杰;贾磊 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C23C2/12 | 分类号: | C23C2/12;C23C2/02;C23C2/26 |
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地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镀铝 技术 提高 钕铁硼 永磁体 氧化 方法 | ||
1.一种热浸镀铝技术提高钕铁硼永磁体抗氧化性的方法,其特征是工艺步骤为:
(1)、清洁镀件表面,清除表面油污、氧化皮及杂质;
(2)、在立式电阻炉中熔炼Al-Si合金,加热至680~750℃,使其熔化成镀液,Al-Si合金中Si含量为2~6%,余量为铝;
(3)、在熔融盐中同时进行助镀及预热,即在将镀件表面涂上均匀助镀液的同时提高镀件温度,熔融盐的配方为:氯化钠25~43%,氟铝酸钠8~20%,氟化铝0.5~12%,氯化钾37~54.5%;
(4)、将钕铁硼进入Al-Si合金液的镀铝槽进行热浸镀,浸镀时间为0.5~2min;
(5)、缓慢提出镀件,使镀件缓慢冷却,提出速度为0.2~2m/min;
(6)、抛光。
2.如权利要求1所述一种热浸镀铝技术提高钕铁硼永磁体抗氧化性的方法,其特征是所述的熔融盐助镀,助镀及预热时间为0.5~5min,温度为690~800℃。
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