[发明专利]原位置换反应热压制备SiC/Ti3SiC2材料的方法无效
| 申请号： | 200810105375.9 | 申请日： | 2008-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101269966A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李世波;向卫华;周洋;翟洪祥 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100044北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 原位 置换反应 热压 制备 sic ti sub 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种原位置换反应热压制备SiC/Ti3SiC2材料的方法，其特征在于含有以下步骤：
(1)以Si粉和TiC粉为原料，Al为反应助剂，按Si∶TiC∶Al＝2∶3∶(0.2～1)的摩尔比配料；
(2)将上述配料和玛瑙球放入球磨罐中，在球磨机上干混10小时；
(3)将上述混好的配料放入石墨模具内，将石墨模具置于热压炉中，在氩气保护气氛下，以20～50℃/分钟的升温速率将炉温升至1350～1550℃，同时对模具中的粉料施加20～40MPa的压力，保温1～4小时，得到SiC/Ti3SiC2块体复合材料。
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