[发明专利]一种发射功率的检测方法及装置

权利要求书

1.一种基站发射功率的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

选择m个子帧作为待检测子帧，所述m为大于1的整数；

依次对所述待检测子帧的下行导频时隙进行n点功率采样，所述n为 正整数，其中，后一下行导频时隙的采样点相对于前一下行导频时隙对应 的采样点具有时间偏移ΔT；

对上述n×m个功率采样点得到的功率采样结果进行平均，得到下行 导频信号的平均功率，通过所述下行导频信号的平均功率确定发射功率，

其中，确定所述时间偏移ΔT包括以下步骤：

确定基站数字中频根升余弦RRC成形滤波器的内插倍数；

确定所需的功率检测精度，通过实验仿真确定采样间隔，使得在所述 采样间隔下获得的各采样点的平均功率，相对于经过所述基站数字中频 RRC成形滤波器滤波的所述下行导频信号的实际功率不失真；

将所述时间偏移ΔT取值为所述采样间隔。

2.如权利要求1所述的基站发射功率的检测方法，其特征在于，对所 述待检测子帧的第一个下行导频时隙进行n点间隔相等的功率采样。

3.如权利要求2所述的基站发射功率的检测方法，其特征在于，所述 m、n和ΔT满足下列关系：n×(m×ΔT)≤下行导频时隙所占的时间。

4.如权利要求1或2所述的基站发射功率的检测方法，其特征在于， 所述时间偏移ΔT依赖于基站数字中频RRC成形滤波器的器件参数。

5.如权利要求4所述的基站发射功率的检测方法，其特征在于，所述 基站数字中频RRC成形滤波器的内插倍数为60。

6.如权利要求5所述的基站发射功率的检测方法，其特征在于，所述 所需的功率检测精度为检测误差不大于0.015dB。

7.如权利要求6所述的基站发射功率的检测方法，其特征在于，所述 采样间隔为1/8码片chip或1/4chip。

8.如权利要求1所述的基站发射功率的检测方法，其特征在于，所述 n依赖于基站内采样处理器处理数据的响应时间。

9.如权利要求1所述的基站发射功率的检测方法，其特征在于，所述 n点采样包括以下步骤：

确定基站内采样处理器处理数据的响应时间；

确定一个下行导频时隙内的有效检测时间；

在所述一个下行导频时隙内的有效检测时间内进行n点采样，采样间 隔不小于所述基站内采样处理器处理数据的响应时间。

10.如权利要求9所述的基站发射功率的检测方法，其特征在于，所 述一个下行导频时隙内的有效检测时间不包括下行导频时隙开始时的头4 个chip和结束前的后4个chip。

11.一种基站自适应调整发射功率的方法，其特征在于，包括以下步 骤：

选择m个子帧作为待检测子帧，所述m为大于1的整数；

基站依次对所述待检测子帧的下行导频时隙进行n点功率采样，所述 n为正整数，其中，后一下行导频时隙的采样点相对于前一下行导频时隙 对应的采样点具有时间偏移ΔT；

所述基站对所述n×m个功率采样点的功率采样结果进行平均，得到 下行导频信号的平均功率，通过所述下行导频信号的平均功率确定所述基 站的发射功率；

所述基站根据得到的所述下行导频信号的平均功率对所述基站的发射 功率进行自适应调整，

其中，确定所述时间偏移ΔT包括以下步骤：

确定基站数字中频根升余弦RRC成形滤波器的内插倍数；

确定所需的功率检测精度，通过实验仿真确定采样间隔，使得在所述 采样间隔下获得的各采样点的平均功率，相对于经过所述基站数字中频 RRC成形滤波器滤波的所述下行导频信号的实际功率不失真；

将所述时间偏移ΔT取值为所述采样间隔。