[发明专利]ATA控制器与闪存的集成方法无效
申请号: | 200810105787.2 | 申请日: | 2008-05-05 |
公开(公告)号: | CN101577139A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
发明(设计)人: | 杨鑫 | 申请(专利权)人: | 杨鑫 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ata 控制器 闪存 集成 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种计算机存储设备输入/输出接口或相关控制技术,具体指高级技术附件规格(Advanced Technology,ATA),以及快闪(Flash)存储器的制造和应用技术。
背景技术
在计算机系统中,硬盘以及其他诸如光盘驱动器、磁带机等设备,通常是使用接口(interface)与计算机相连的存储装置,接口定义了从该装置传入传出数据所需的物理及逻辑要求。在现代计算机系统中,此类存储设备常使用的接口是本领域类广泛认知的集成磁盘电子(Integrated Drive Electronics,IDE)接口。该接口确切地说应称为高级技术附件规格(Advanced Technology,ATA)接口。该规格从1986年开始制定,并于1988年前后正式标准化,并在之后不断发展出基于该规格的新版本规格,或是全新的衍生孤规格,为个人计算机连接磁盘驱动器等大容量存储设备定义了一整套的实施方法。
由于该规格在实现时的复杂度、性能以及成本问题上具有较好的平衡性,能够在大多数场合下以较低的成本和复杂度带来相对较高的系统性能,在个人计算机存储器互联上已经占有相当重要的地位。
另一方面,在计算机系统中,非易失性存储器是一种关键组成部分。快闪(Flash)存储器是近年来发展起来的一种半导体非易失性存储器。快闪存储器是指,在半导体基板上制作的单个或多个场效应晶体管(FET)组成快闪存储单元,通过改变场效应晶体管内存有的电荷的量来记录信息的一类存储器。快闪存储器有多种具体工艺实现方式。随着半导体制作工艺的进步,快闪存储器所具有的存储密度高、工作耗电低、工作稳定、抗干扰能力强以及价格低廉等优点将会越来越突出。
快闪存储器一般被封装成仅含有最简单的控制电路的芯片,作为进一步应用的器件。如图1所示,是一种典型的快闪存储器芯片内部结构。图中包含的多路器、缓冲器以及地址译码器(可分为航地址译码器和列地址译码器)等可以有多种具体实现方式,但并不影响本说明对其功能的定义。一般对快闪存储器的一个读数据操作可能包括如下步骤:
首先外部信号到达缓冲器,经缓冲器屏蔽信号毛刺,将稳定的信号送入多路器;
随后多路器根据选择信号将信号分别引向行地址译码器和列地址译码器;
然后由行地址译码器和列地址译码器向快闪存储单元发送地址信号;
最后在地址信号激励下产生的数据信号被送到缓冲器,经缓冲器屏蔽信号毛刺后,将稳定的信号送出。
如上所述,目前的快闪存储器本身只能进行很低级的操作,不能直接与个人计算机系统相连接。目前常用的方法是制造专用的接口控制器芯片,如高级技术附件规格(Advanced Technology,ATA)接口的控制器芯片,连接个人计算机系统和快闪存储器。如图2所示。图中所示高级技术附件规格(Advanced Technology,ATA)接口控制器是单独制造的电路,或集成电路芯片,图中所示的个人计算机系统通过它与图中所示的快闪存储器相连接。这使得系统整体变得更加复杂,增加了系统的不确定性,同时带来不少的制造成本。
发明内容
本发明提供了一种高级技术附件规格(ATA)控制器与闪存存储单元的集成方法,将控制器与闪存存储单元在集成电路基板晶圆上集成制造。该方法包括在制造快闪存储器的半导体基板上,直接制作高级技术附件规格(ATA)控制器的集成电路,并制造译码电路等辅助性电路,由高级技术附件规格(ATA)控制器直接控制快闪存储器单元的操作。
在一个实施例中,利用该方法在集成电路基板晶圆上直接制造高级技术附件规格(ATA)控制器的集成电路以及与其相连的快闪存储器单元。
在另一个实施实例中,利用该方法在集成电路基板晶圆上直接制造译码电路等辅助电路。
在另一个实施实例中,利用该方法在集成电路基板晶圆上制造可用于数据缓存用途的除快闪存储器单元以外的其他种类存储器。
在另一个实施实例中,利用该方法在集成电路基板晶圆上制造可用于软件程序运行的除快闪存储器单元以外的其他种类存储器。
在另一个实施实例中,利用该方法在集成电路晶圆上制造可以连接其他存储器件的接口电路。
在另一个实施实例中,利用该方法在一块集成电路基板上制造制造一个或多个闪存存储器单元与同一个高级技术附件规格(ATA)控制器电路相连接。
附图说明
图1为一种典型的快闪存储器芯片内部结构。
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