[发明专利]栅极、半导体器件及栅极、掺杂区、含氮侧墙基层形成方法有效
| 申请号： | 200810105923.8 | 申请日： | 2008-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101577223A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 何有丰;唐兆云;白杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/266;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 半导体器件 掺杂 含氮侧 墙基 形成 方法 | ||
1.一种栅极形成方法，其特征在于，包括：
在基底上形成多晶硅层；
图形化所述多晶硅层；
执行氮化操作，在具有图形化的多晶硅层的基底表面形成氮化硅层；
在形成掺杂区时基底表面保留氮化硅层，可在经历掺杂操作后的清洗过程中减少基底的损失，继而减少掺杂损失。
2.根据权利要求1所述的栅极形成方法，其特征在于：所述氮化操作采用炉式快速热氮化工艺。
3.根据权利要求1所述的栅极形成方法，其特征在于：执行所述氮化操作时的反应气体包括一氧化氮、一氧化二氮或氨气中的一种。
4.一种栅极形成方法，其特征在于，包括：
在基底上形成多晶硅层；
图形化所述多晶硅层；
执行氧化操作，在具有图形化的多晶硅层的基底表面形成氧化硅层；
执行氮化操作，在所述氧化硅层表面形成氮化硅层；
在形成掺杂区时基底表面保留氮化硅层，可在经历掺杂操作后的清洗过程中减少基底的损失，继而减少掺杂损失。
5.根据权利要求4所述的栅极形成方法，其特征在于：所述氧化操作采用热氧化工艺或现场水汽生成工艺。
6.根据权利要求4所述的栅极形成方法，其特征在于：所述氧化操作采用现场水汽生成工艺执行时，涉及的反应气体包含H2和O2，所述O2的流量大于所述H2的流量。
7.根据权利要求4所述的栅极形成方法，其特征在于：所述氮化操作采用去耦合等离子体氮化工艺，形成的氮化硅层内具有梯度氮分布，氮的浓度由所述基底表面向其内部逐渐减小。
8.根据权利要求4所述的栅极形成方法，其特征在于：执行所述氮化操作时的反应气体包括氮气。
9.一种掺杂区形成方法，其特征在于，包括：
在基底上形成图形化的多晶硅层；
执行氮化操作，在具有图形化的多晶硅层的基底表面形成氮化硅层；
在经历所述氮化操作的基底上形成图形化的抗蚀剂层；
以所述抗蚀剂层为掩模，对经历所述氮化操作的基底执行离子注入操作；
去除所述抗蚀剂层，形成掺杂区；
所述氮化硅层可在经历掺杂操作后的清洗过程中减少基底的损失，继而减少掺杂损失。
10.根据权利要求9所述的掺杂区形成方法，其特征在于：在形成氮化硅层和形成图形化的抗蚀剂层操作之间，还包括，形成侧墙基层及/或侧墙的操作。
11.根据权利要求9所述的掺杂区形成方法，其特征在于：所述氮化操作采用炉式快速热氮化工艺。
12.根据权利要求9所述的掺杂区形成方法，其特征在于：执行所述氮化操作时的反应气体包括一氧化氮、一氧化二氮或氨气中的一种。
13.根据权利要求9所述的掺杂区形成方法，其特征在于：去除所述抗蚀剂层采用湿式刻蚀工艺。
14.一种掺杂区形成方法，其特征在于，包括：
在基底上形成图形化的多晶硅层；
执行氧化操作，在具有图形化的多晶硅层的基底表面形成氧化硅层；
执行氮化操作，在所述氧化硅层表面形成氮化硅层；
在经历所述氮化操作的基底上形成图形化的抗蚀剂层；
以所述抗蚀剂层为掩模，对经历所述氮化操作的基底执行离子注入操作；
去除所述抗蚀剂层，形成掺杂区；
所述氮化硅层可在经历掺杂操作后的清洗过程中减少基底的损失，继而减少掺杂损失。
15.根据权利要求14所述的掺杂区形成方法，其特征在于：在形成氮化硅层和形成图形化的抗蚀剂层操作之间，还包括，形成侧墙基层及/或侧墙的操作。
16.根据权利要求14所述的掺杂区形成方法，其特征在于：所述氧化操作采用热氧化工艺或现场水汽生成工艺。
17.根据权利要求14所述的掺杂区形成方法，其特征在于：所述氧化操作采用现场水汽生成工艺时，涉及的反应气体包含H2和O2，所述O2的流量大于所述H2的流量。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810105923.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种四冲程内燃机配气正时机构
- 下一篇：抽油机增油器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
