[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，在所述第一区域和第二区域中各至少具有一个沟槽；

在所述第一区域和第二区域上形成第一应力层，所述第一应力层至少填满所述第一区域中的沟槽；

去除第二区域的第一应力层；

在所述第一区域的第一应力层上和第二区域形成第二应力层，所述第二应力层至少填满所述第二区域中的沟槽；

通过平坦化工艺去除部分第二应力层和部分第一应力层，保留所述第一区域的沟槽中的第一应力层和第二区域的沟槽中的第二应力层；

其中，当所述第一区域用于形成PMOS或NMOS器件时，所述第一应力层分别为压应力膜或张应力膜；

当所述第二区域用于形成PMOS或NMOS器件时，所述第二应力层分别为压应力膜或张应力膜。

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于：去除第二区域的第一应力层的步骤如下：

在所述第一区域的第一应力层上覆盖阻挡层；

刻蚀去除所述第二区域的第一应力层；

去除所述阻挡层。

3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于：所述第一应力层为氧化硅。

4.如权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于：所述刻蚀为干法刻蚀或湿法刻蚀。

5.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于：所述干法刻蚀的刻蚀气体为含氟或氯或溴的气体。

6.如权利要求5所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于：所述湿法刻蚀的刻蚀液为氢氟酸溶液。

7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于：形成第一应力层之前，在所述沟槽表面形成衬垫氧化硅层。

8.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，在所述第一区域和第二区域中各至少具有一个沟槽；

在所述第一区域和第二区域上形成第一应力层，所述第一应力层部分填充所述第一区域中的沟槽；

去除第二区域的第一应力层；

在所述第一区域的第一应力层上和第二区域形成第二应力层，所述第二应力层至少填满所述第二区域中的沟槽；

通过平坦化工艺去除部分第二应力层和部分第一应力层，保留所述第一区域的沟槽中的第一应力层、第二应力层和第二区域的沟槽中的第二应力层；

其中，当所述第一区域用于形成PMOS或NMOS器件时，所述第一应力层分别为压应力膜或张应力膜；

当所述第二区域用于形成PMOS或NMOS器件时，所述第二应力层分别为压应力膜或张应力膜。

9.如权利要求8所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，进一步包括：平坦化之前，

去除所述第一区域上的第二应力层；

在所述第一区域的第一应力层和第二区域的第二应力层上再次沉积第一应力层，并至少填满所述第一区域的沟槽。

10.如权利要求8或9所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于：所述第一应力层为压应力氧化硅，第二应力层为张应力氧化硅。

11.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：

A1、提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，在所述第一区域和第二区域中各至少具有一个沟槽；

A2、在所述第一区域和第二区域上形成第一应力层，所述第一应力层部分填充所述第一区域中的沟槽；

A3、去除第二区域的第一应力层；

A4、在所述第一区域的第一应力层和第二区域上形成第二应力层，所述第二应力层部分填充所述第二区域中的沟槽；

A5、重复执行步骤A2至A4，直至所述第一区域和第二区域的沟槽均被填满时为止；

A6、通过平坦化工艺去除部分第二应力层和部分第一应力层，保留所述第一区域的沟槽中的第一应力层和第二区域的沟槽中的第二应力层；

其中，当所述第一区域用于形成PMOS或NMOS器件时，所述第一应力层分别为压应力膜或张应力膜；

当所述第二区域用于形成PMOS或NMOS器件时，所述第二应力层分别为压应力膜或张应力膜。