[发明专利]化学机械研磨方法无效
| 申请号： | 200810105934.6 | 申请日： | 2008-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101577213A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 李健;刘俊良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/304;B24B37/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：
以包含研磨微粒的研磨液执行化学机械研磨操作至研磨终点；
以不包含研磨微粒的研磨液执行辅助化学机械研磨操作。
2.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述研磨微粒包含硅胶或三氧化二铝中的一种或其组合。
3.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述包含研磨微粒的研磨液或者不包含研磨微粒的研磨液中包含氢氧化钾。
4.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述包含研磨微粒的研磨液或者不包含研磨微粒的研磨液中包含氨水。
5.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述包含研磨微粒的研磨液或者不包含研磨微粒的研磨液的PH值小于8。
6.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述包含研磨微粒的研磨液或者不包含研磨微粒的研磨液中包含双氧水或臭氧的水溶液中的一种或其组合。
7.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述不包含研磨微粒的研磨液为水。
8.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：执行所述辅助化学机械研磨操作时的驱动电压等于或小于执行所述化学机械研磨操作时的驱动电压。
9.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于：执行所述辅助化学机械研磨操作的持续时间为10～20秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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