[发明专利]一种AlN缓冲层的生长方法

权利要求书

1.一种AlN缓冲层的生长方法，采用金属有机化学气相沉积方法，以氢气作为载气，TMAl和NH₃分别作为Al源和N源，控制温度为1050℃-1200℃，压力为100-200torr，V/III为400-800，采用交替通入TMAl和NH₃的脉冲方式在蓝宝石衬底上生长50-150个周期的AlN缓冲层，具体每个周期依次通入3-10s TMAl，3-10s载气，3-10s NH₃和3-10s载气。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：

1)将反应室的温度升高到1000℃-1100℃，在氢气气氛中烘烤蓝宝石衬底5-20分钟；

2)升温至1050℃-1200℃，控制压力为100-200torr，V/III为400-800，采用TMAl和NH₃交替通入反应室的脉冲方式生长50-150个周期的高温高压脉冲AlN缓冲层，每个周期依次通入3-10s TMAl，3-10s载气，3-10s NH₃和3-10s载气。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤1)的温度为1050℃-1100℃。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤1)和步骤2)之间增加下列步骤：1-2.在1050℃-1200℃的温度下，控制压力在100-200torr，预通入5-30s TMAl进反应室，生长一铝化层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤1-2的温度为1100℃-1200℃，TMAl通入时间为10-20s。

6.如权利要求2～5中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述步骤2)的温度为1100℃-1200℃。

7.如权利要求2～5中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述步骤2)的压力为150-200torr。

8.如权利要求2～5中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述步骤2)的V/III为400-600。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述步骤2)的V/III比通过改变氨气流量或TMAl流量实现。