[发明专利]一种碳纳米管的修饰方法和碳纳米管电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种碳纳米管的修饰方法，包括以下步骤：

1)将碳纳米管浸入氯金酸的水和还原性有机溶剂的混合溶剂的溶液中进行反应，反应后从溶液中取出，洗涤，干燥；

2)将碳纳米管浸入氯金酸和水溶性还原剂的含水溶剂的混合溶液中进行反应，反应后从溶液中取出，洗涤，干燥。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳纳米管通过下述方法获得：

在基底上采用化学气相沉积法制备碳纳米管；或

将已有的碳纳米管溶液分散在基底上。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基底为硅、石英或蓝宝石基底。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳纳米管是随机排布碳纳米管或平行超长碳纳米管阵列；所述碳纳米管是单壁碳纳米管或双壁碳纳米管或其它小多壁碳纳米管。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)所述有机溶剂为甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丙酮、乙醛、苯甲醇或苯甲醛或它们的混合物，水和有机溶剂的体积比为1∶3到3∶1。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)所述氯金酸溶液的浓度为0.01mM到100mM；所述反应的反应时间为30秒到90分钟。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)所述水溶性还原剂为葡萄糖、抗坏血酸、柠檬酸钠或盐酸羟胺或它们的混合物；所述含水溶剂为水，或水和甲醇、乙醇、丙醇或异丙醇或它们的混合物的混合溶剂。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)所述氯金酸和水溶性还原剂的浓度均为0.01mM到25mM；所述反应的反应时间为30秒到120分钟。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)和步骤3)所述洗涤为依次用无水乙醇和超纯水清洗，所述干燥为使用氮气吹干。

10.一种碳纳米管电子器件的制造方法，其步骤包括：

a)按照如权利要求1所述的方法修饰碳纳米管；

b)在光学显微镜下将网状掩膜覆盖在碳纳米管上；

c)蒸镀金属电极；

d)去除所述掩膜，获得碳纳米管电子器件。