[发明专利]半导体外延片的压焊方法

权利要求书

1.一种半导体外延片的压焊方法，包括如下步骤：

定位步骤：将待焊接的外延片和基板置于夹合装置上的工作台上，使外延片和基板的焊接面通过定位装置进行定位对接；

电磁焊接步骤：接通电磁线圈，并通过焊接机构上的夹合装置对外延片和基板施加夹合压力，通过电磁线圈发出的电磁波来加热外延片或基板上的压焊金属，使外延片和基板压焊在一起。

2.根据权利要求1所述的半导体外延片的压焊方法，其特征在于所述定位步骤包括：将待焊接的外延片和基板置于工作台上的定位环的孔内。

3.根据权利要求2所述的半导体外延片的压焊方法，其特征在于：将待焊接的基板置于工作台上的定位环孔底部的下定位盘上，或者直接将待焊接的基板置于工作台上的定位孔底部；再将外延片置于基板上；最后将上定位盘置于外延片上。

4.根据权利要求2所述的半导体外延片的压焊方法，其特征在于：一个外延片和一个基板组成一对焊接体，多对所述焊接体层叠起来置于所述工作台上进行压焊。

5.根据权利要求1或2或4所述的半导体外延片的压焊方法，其特征在于：所述外延片和所述基板中至少其中一个的焊接面上有焊接金属。

6.根据权利要求1或2或3或4所述的半导体外延片的压焊方法，其特征在于：所述电磁线圈内有用于冷却的冷却管，在对外延片和基板焊接过程中，焊接机构中的冷却装置同时工作，冷却装置通过冷却管给电磁线圈进行冷却；冷却方式为液体冷却或者气体冷却。

7.根据权利要求1所述的半导体外延片的压焊方法，其特征在于：所述夹合装置工作时，夹合装置通过设在夹合装置上的冷却装置冷却；冷却方式为液体冷却或者气体冷却。

8.根据权利要求1或2或3或4所述的半导体外延片的压焊方法，其特征在于：所述压焊过程在大气环境下进行；或者在所述电磁焊接步骤前，将焊接机构置于真空装置中，将真空装置内的空气抽出，使压焊过程在真空环境下进行。

9.根据权利要求1所述的半导体外延片的压焊方法，其特征在于所述电磁焊接步骤包括：接通电磁线圈后，加热外延片至200℃～1063℃，然后再用夹合装置给外延片施加压力，再保温一定的时间至外延片和基板通过压焊金属层压焊在一起；电磁焊接步骤完成后，停止感应加热和撤除压力。