[发明专利]半导体外延片的压焊结构有效
申请号: | 200810106834.5 | 申请日: | 2008-04-30 |
公开(公告)号: | CN101267013A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 熊传兵;江风益;王立;王古平;章少华 | 申请(专利权)人: | 晶能光电(江西)有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 330029江西省南*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 外延 结构 | ||
1.一种半导体外延片的压焊结构,包括对外延片和基板施加压力的夹合装置;所述夹合装置包括两个夹合构件,两个夹合构件之间形成焊接外延片和基板的工作台,其特征在于:所述压焊结构还包括用于焊接外延片和基板的电磁感应加热装置;所述电磁感应加热装置包括电磁感应加热外延片和基板的电磁线圈;
所述压焊结构还包括对外延片和基板进行定位的定位装置,定位装置设于所述工作台上;
所述定位装置包括一个环绕设在所述工作台周围、对外延片和基板进行水平定位的定位环;
所述定位装置还包括对外延片和基板进行上下定位的、比热容小于中碳钢的绝缘定位盘;所述定位盘包括一个与所述两个夹合机构中任一个接触的单盘,或两个分别与所述两个夹合机构接触的上定位盘和下定位盘。
2.根据权利要求1所述的半导体外延片的压焊结构,其特征在于:所述电磁线圈设于所述工作台上或工作台外围。
3.根据权利要求1所述的半导体外延片的压焊结构,其特征在于:所述电磁线圈为盘绕在所述夹合装置外围的圆柱状线圈,或者为设于所述工作台外围的平面状线圈。
4.根据权利要求4所述的半导体外延片的压焊结构,其特征在于:所述电磁线圈为设有冷却液体和气体通道的空心线圈。
5.根据权利要求1所述的半导体外延片的压焊结构,其特征在于:所述两个夹合构件包括与外延片和基板接触的接触部位,所述接触部位为比热容小于中碳钢的非金属材料。
6.根据权利要求1所述半导体外延片的压焊结构,其特征在于:所述夹合装置及其工作台设于真空装置内。
7.根据权利要求6所述的半导体外延片的压焊结构,其特征在于:所述电磁线圈设于所述真空装置外部,所述真空装置接近所述电磁线圈部位为比热容小于中碳钢的非金属材料。
8.根据权利要求5或7所述的半导体外延片的压焊结构,其特征在于:所述比热容小于中碳钢的非金属材料为绝缘体或者半导体。
9.根据权利要求8所述的半导体外延片的压焊结构,其特征在于:所述绝缘体为陶瓷或石英。
10.根据权利要求1所述半导体外延片的压焊结构,其特征在于:所述夹合装置包括一个施压构件和一个承压构件,所述施压构件与一个万向节连接。
11.根据权利要求1所述的半导体外延片的压焊结构,其特征在于:所述两个夹合构件中至少一个夹合构件中设有液体或气体冷却管装置。
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