[发明专利]缓冲器电路及显示器有效

专利信息
申请号: 200810107902.X 申请日: 2008-05-21
公开(公告)号: CN101286736A 公开(公告)日: 2008-10-15
发明(设计)人: 白承丘 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003;G09G3/36
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 缓冲器 电路 显示器
【权利要求书】:

1.一种缓冲器电路,包含输入端与输出端,该输入端用以接收输人信号电压,该输出端用以输出数据信号电压,该缓冲器电路包含:

驱动电路,其包含控制端;

偏压电路,用来将该驱动电路的输出偏压于参考电压;

第一开关单元,耦接于该驱动电路的控制端以及该参考电压,根据第一开关信号导通;

第二开关单元,耦接于第一节点以及第二节点之间,根据该第一开关信号导通;

第三开关单元,耦接于该输入端以及该第二节点之间,根据第二开关信号导通;

第四开关单元,耦接于该第一节点以及第三节点之间,根据该第二开关信号导通;

第五开关单元,耦接于该输入端以及该第三节点之间,根据第三开关信号导通;

第六开关单元,耦接于该第一节点以及该输出端之间,根据该第三开关信号导通;

第一电容,耦接于该驱动电路的控制端以及该第二节点之间;以及

第二电容,耦接于该驱动电路的控制端以及该第三节点之间。

2.如权利要求1所述的缓冲器电路,其中该偏压电路为源极随耦器。

3.如权利要求1所述的缓冲器电路,其中该偏压电路包含:

NMOS晶体管,其包含漏极以及栅极,该NMOS晶体管的漏极耦接于该第一节点;

第七开关单元,耦接于该参考电压以及该NMOS晶体管的栅极,用来于接收第四开关信号时开启;以及

PMOS晶体管,其包含漏极以及栅极,该PMOS晶体管的漏极耦接于该NMOS的栅极,该PMOS晶体管的栅极受控于该第四开关信号。

4.如权利要求1所述的缓冲器电路,其中该显示器为低温多晶硅液晶显示器。

5.一种显示器,其包含:

显示面板,包含多个像素单元组,用来显示图像;

多个缓冲器电路,每缓冲器电路对应于所述多个像素单元组的像素单元组,用来在输入端接收输入信号电压并由输出端输出数据信号电压至对应的像素单元组,每缓冲器电路包含:

驱动电路,其包含控制端;

偏压电路,用来用来将该驱动电路的输出偏压于参考电压;

第一开关单元,耦接于该驱动电路的控制端以及该参考电压,用来于接收第一开关信号时导通;

第二开关单元,耦接于第一节点以及第二节点之间,用来在接收该第一开关信号时导通;

第三开关单元,耦接于该输入端以及该第二节点之间,用来在接收第二开关信号时导通;

第四开关单元,耦接于该第一节点以及第三节点之间,用来在接收该第二开关信号时导通;

第五开关单元,耦接于该输入端以及该第三节点之间,用来在接收第三开关信号时导通;

第六开关单元,耦接于该第一节点以及该输出端之间,用来在接收该第三开关信号时导通;

第一电容,耦接于该驱动电路的控制端以及该第二节点之间;以及

第二电容,耦接于该驱动电路的控制端以及该第三节点之间。

6.如权利要求5所述的显示器,其中该偏压电路为源极随耦器。

7.如权利要求5所述的显示器,其中该偏压电路包含:

NMOS晶体管,其包含漏极以及栅极,该NMOS晶体管的漏极耦接于该第一节点;

第七开关单元,耦接于该参考电压以及该NMOS晶体管的栅极,用来于接收第四开关信号时开启;以及

PMOS晶体管,其包含漏极以及栅极,该PMOS晶体管的漏极耦接于该NMOS的栅极,该PMOS晶体管的栅极受控于该第四开关信号。

8.如权利要求5所述的显示器,其中每一像素单元组包含第一像素、第二像素以及第三像素,该第一像素、该第二像素以及该第三像素接耦接于对应的缓冲器电路的输出端。

9.如权利要求8所述的显示器,其还包含:

第一切换单元,耦接于该第一像素以及该对应的缓冲器电路的输出端之间,用来于接收第一切换信号时,导通该对应的缓冲器电路输出的该数据信号电压至该第一像素;

第二切换单元,耦接于该第二像素以及该对应的缓冲器电路的输出端之间,用来于接收第二切换信号时,导通该对应的缓冲器电路输出的该数据信号电压至该第二像素;以及

第三切换单元,耦接于该第三像素以及该对应的缓冲器电路的输出端之间,用来于接收第三切换信号时,导通该对应的缓冲器电路输出的该数据信号电压至该第三像素。

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