[发明专利]半导体受光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体受光元件，包括：

第1导电类型半导体基板；和

设在上述第1导电类型半导体基板上、且顺序包含第1导电类型层、光吸收层、扩散缓冲层、以及第2导电类型层的半导体层，

其中，在上述半导体层中的至少包含上述光吸收层的层中设有第一台面；

在上述半导体层中的至少包含上述扩散缓冲层以及上述第2导电类型层的层中设有直径比上述第一台面小的第二台面。

2.根据权利要求1所述半导体受光元件，其中，

上述扩散缓冲层由成分变化层构成，且随着从上述光吸收层离开，其能带隙变大。

3.根据权利要求1所述半导体受光元件，其中，

上述扩散缓冲层由多个层构成，且随着从上述光吸收层离开，其能带隙变大。

4.根据权利要求1所述半导体受光元件，还具备保护层，该保护层配置在上述光吸收层与上述扩散缓冲层间，其成分与上述扩散缓冲层不同，其直径比上述扩散缓冲层的大，且其能带隙比上述光吸收层的大。

5.根据权利要求4所述半导体受光元件，其中，

上述保护层由成分变化层构成，且随着从上述光吸收层离开，其能带隙变大。

6.根据权利要求4所述半导体受光元件，其中，

上述保护层由多个层构成，且随着从上述光吸收层离开，其能带隙变大。

7.根据权利要求1所述半导体受光元件，其中，

上述扩散缓冲层具有第2导电类型，且其载流子浓度比上述第2导电类型层的小。

8.根据权利要求1所述半导体受光元件，其中，

上述扩散缓冲层具有第1导电类型。

9.根据权利要求1所述半导体受光元件，其中，

上述扩散缓冲层具有绝缘型。

10.根据权利要求4所述半导体受光元件，其中，

上述保护层具有第2导电类型，且其载流子浓度比上述第2导电类型层的小。

11.根据权利要求4所述半导体受光元件，其中，

上述保护层具有第1导电类型。

12.根据权利要求4所述半导体受光元件，其中，

上述保护层具有绝缘型。

13.一种半导体受光元件的制造方法，包括如下的步骤：

准备第1导电类型半导体基板的步骤；

在第1导电类型半导体基板上，形成按顺序包括第1导电类型层、光吸收层、用于缓和向上述光吸收层的第2导电类型载流子的扩散的扩散缓冲层、以及第2导电类型层的半导体层的步骤；

在上述半导体层中的至少包含上述光吸收层的层中形成第一台面的第一台面形成步骤；和

在上述第一台面形成步骤之后，在上述半导体层中的至少包含上述扩散缓冲层以及上述第2导电类型层的层中形成直径比上述第一台面小的第二台面的第二台面形成步骤。

14.根据权利要求13所述的半导体受光元件的制造方法，

还具备在上述第二台面形成步骤或上述第2导电类型层除去步骤之后，进行热处理的步骤。

15.一种半导体受光元件的制造方法，包括如下的步骤：

准备第1导电类型半导体基板的步骤；

在第1导电类型半导体基板上，形成按顺序包括第1导电类型层、光吸收层、扩散缓冲层、以及第2导电类型层的半导体层的步骤；和

在上述扩散缓冲层以及上述第2导电类型层中，通过除去外周的一部分或全部来保留内周作为受光部的第2导电类型层除去步骤。

16.根据权利要求15所述的半导体受光元件的制造方法，

还具备在上述第二台面形成步骤或上述第2导电类型层除去步骤之后，进行热处理的步骤。