[发明专利]液晶显示器件用基板检查装置和利用其的基板检查方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器件用基板检查装置，更具体地说，涉及一种能够通过缩短基板检查时间而提高生产效率的液晶显示器件用基板检查装置和利用其的液晶显示器件用基板检查方法。

背景技术

常规上，液晶显示(LCD)器件被设计为根据视频信号来调节液晶单元的透光率，由此在以矩阵形式排列有多个液晶单元的液晶基板上形成与该视频信号相对应的图像。

液晶显示器件包括通过密封材料彼此接合的两个基板，和形成在这两个基板之间的液晶层。在这两个基板当中，下基板形成有薄膜晶体管、像素电极等，而上基板形成有滤色器、公共电极等。即，下基板被称为TFT阵列基板，而上基板被称为滤色器阵列基板。

TFT阵列基板和滤色器阵列基板是经由独立的制造工艺单独完成的，然后经由接合工艺彼此接合。

同时，在接合工艺之前，要进行确定设置在TFT阵列基板上的每一个像素的薄膜晶体管是否正常工作的检查工艺。该检查工艺需要检查装置。该检查装置被设计成，在TFT阵列基板上方水平和垂直移动的同时对形成在TFT阵列基板的整个表面上的所有像素电极进行检查。

上述检查装置包括调制器和相机。调制器包括用于和形成在TFT阵列基板上的像素电极一起生成电场的公共电极，以及其中透光率经由公共电极和像素电极所生成的电场而改变的液晶层。

图1例示了利用上述常规检查装置来检查TFT阵列基板的缺陷的方法。如图1所示，单个母板上排列有多个TFT阵列基板。

为了单独地检查这些TFT阵列基板，由标号22表示的检查装置在检查了第一TFT阵列基板1之后沿水平方向移动，以检查第二TFT阵列基板2。检查装置22又沿对角方向移动，以检查第三TFT阵列基板3。按这种方式，检查装置22可以顺序地检查第一TFT阵列基板1到第六TFT阵列基板6的所有TFT阵列基板。

检查装置22中包括的调制器没有足够的尺寸来覆盖单个TFT阵列基板的整个面积。因此，为了检查形成在单个TFT阵列基板的整个表面上的所有像素，必须预先执行将TFT阵列基板分割成多个部分并且将调制器定位在每个部分上方的操作。

为此，检查形成在单个基板上的全部像素需要将调制器移至每个部分并且使调制器准确地对准该部分的对准操作。无论何时要检查任何像素部分都必须预先执行这种对准操作。因为这种部分的数量越大，对准操作的次数就越大，所以常规检查装置存在过度增加了整体工艺时间的问题。

为了解决上述问题，尽管可以尝试将调制器尺寸增大到至少一个TFT阵列基板的尺寸，但仍存在以下问题。

图2例示了增大调制器尺寸时可能造成的问题。如图2所示，如果调制器30的面积增大，则调制器30的中央可能因重力而下垂。调制器30的面积越大，调制器30下垂的程度就越大。

调制器30的这种下垂可能不利地造成调制器30的中央接触到TFT阵列基板1。考虑到TFT阵列基板1的像素电极暴露在外的事实，如果将像素电极定位在TFT阵列基板1与调制器30之间的接触区域处，则不可避免地会破坏像素电极。

当然，即使调制器30的中央下垂，也有防止调制器30接触到TFT阵列基板1的解决方案。具体来说，可以考虑下垂程度来增大调制器30与TFT阵列基板1之间的间隙。然而，由于TFT阵列基板1的中央仍然比TFT阵列基板1的边缘更靠近调制器30的事实，存在这样一个问题，即，经过TFT阵列基板1中央的光的透光率与经过TFT阵列基板1边缘的光的透光率之间有较大的偏差。这种透光率偏差造成无法在TFT阵列基板1的整个表面上进行图像质量的准确检查。因此，上述常规检查装置22中包括的调制器30的尺寸受到了限制，从而，存在如先前所示的工艺时间增加的问题。

发明内容

因此，本发明致力于提供一种基本上消除了因现有技术的局限性和缺点而造成的一个或更多个问题的液晶显示器件用基板检查装置和利用其的基板检查方法。

本发明的一个目的是提供一种液晶显示器件用基板检查装置和利用其的基板检查方法，在该基板检查装置中，调制器在其与TFT阵列基板的除了像素区以外的局部区域相对应的表面上设置有多个支承杆(supporting pole)，由此防止调制器接触到TFT阵列基板同时还防止调制器的中央下垂，从而使得能够使用与现有技术相比更大的调制器。

本发明的其它优点、目的以及特征将在下面的描述中加以阐述，并且对于本领域普通技术人员而言在研究下面的内容后将部分变得明了，或者可以通过对本发明的具体实践而获知。通过在文字说明及其权利要求以及附图中具体指出的结构可以实现并获得本发明的这些目的和其它优点。