[发明专利]保护电路、方法及应用前述保护电路的系统

权利要求书

1.一种保护电路，适用于一系统中，该系统内有驱动装置及被驱动装置，该驱动装置有第一供应电压(V_dd1)与输出，而该被驱动装置具备低于该第一供应电压(V_dd1)的第二供应电压(V_dd2)，其中该被驱动装置有输入耦接至该驱动装置的该输出，该保护电路包括：

第一电阻器，耦接至该驱动装置的该输出及该被驱动装置的输入N型金属氧化物半导体晶体管的栅极；

寄生NPN型双极结晶体管，具有漏极连接于该被驱动装置的该输入N型金属氧化物半导体晶体管的该栅极，和源极耦接至较低电压供应轨(V_ss)；以及

第二电阻器，将该NPN型双极结晶体管的栅极连接至较低电压供应轨(V_ss)，为了保护该被驱动装置的该输入N型金属氧化物半导体晶体管的栅极氧化层免于受到静电放电的影响，该第二电阻器的电阻用来控制该寄生NPN型双极结晶体管的触发电压。

2.如权利要求1所述的保护电路，其中该寄生NPN型双极结晶体管为栅极接地N型金属氧化物半导体晶体管。

3.如权利要求1所述的保护电路，其中该驱动装置的该输出与P型金属氧化物半导体上拉式晶体管的源极相连接，而该P型金属氧化物半导体上拉式晶体管的漏极与该驱动装置的较高电压供应轨(电压为V_dd1)相连接。

4.如权利要求1所述的保护电路，其中该寄生NPN型双极结晶体管与该被驱动装置中的该输入N型金属氧化物半导体晶体管为相同类型。

5.如权利要求1所述的保护电路，其中该第二电阻器的电阻用来降低该寄生NPN型双极结晶体管的触发电压，较低电压供应轨(V_ss)为基准点，与该寄生NPN型双极结晶体管的标称触发电压低了0.5伏特。

6.如权利要求1所述的保护电路，其中该第二电阻器的电阻值远大于该第一电阻器的电阻值。

7.如权利要求1所述的保护电路，其中该被驱动装置的该输入N型金属氧化物半导体晶体管的源极连接至该被驱动装置的较低电压供应轨。

8.一种系统，包括：

驱动装置，操作于第一供应电压(V_dd1)，并有互补式金属氧化物半导体输出；

被驱动装置操作于低于该第一供应电压(V_dd1)的第二供应电压(V_dd2)，并有互补式金属氧化物半导体输入伴随N型金属氧化物半导体下拉式晶体管；以及

保护电路，包括：

第一电阻器，耦接至该驱动装置的该互补式金属氧化物半导体输出和该N型金属氧化物半导体下拉式晶体管的栅极；

寄生NPN型双极结晶体管具有漏极连接至该N型金属氧化物半导体下拉式晶体管的该栅极，与源极耦接至较低电压供应轨(V_ss)；以及

第二电阻器将该寄生NPN型双极结晶体管的栅极连接至较低电压供应轨(V_ss)，而为了保护该N型金属氧化物半导体下拉式晶体管的栅极氧化层免于受到静电放电的影响，该第二电阻器具有电阻值用来控制该寄生NPN型双极结晶体管的触发电压。

9.如权利要求8所述的系统，其中该寄生NPN型双极结晶体管为雪崩晶体管。

10.如权利要求8所述的系统，其中该寄生NPN型双极结晶体管的类型与该N型金属氧化物半导体下拉式晶体管相同。

11.如权利要求8所述的系统，其中该第二电阻器的电阻值用来降低该寄生NPN型双极结晶体管的触发电压，较低电压供应轨(V_ss)为基准点，与该寄生NPN型双极结晶体管的标称触发电压约低了0.5伏特。

12.如权利要求8所述的系统，其中该第二电阻器有电阻值远大于该第一电阻器的电阻值。