[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上方，依次堆叠绝缘中间层和第一绝缘膜；

依次选择性地去除所述第一绝缘膜和所述绝缘中间层，从而形成延伸穿过所述第一绝缘膜和所述绝缘中间层的孔；

允许所述孔的内壁的侧蚀刻具体地在所述绝缘中间层的一部分中进行，从而形成使所述第一绝缘膜从所述孔的边缘朝向中心突出的结构；

形成下电极膜，所述下电极膜在所述第一绝缘膜的顶表面、侧面和后表面的上方及所述孔的内壁和底表面的上方延伸；

在所述孔中填充保护膜；

去除具体地落在所述第一绝缘膜的顶表面和侧面上的部分中的所述下电极膜；

去除所述保护膜；以及

在所述孔中和所述下电极膜的上方依次堆叠电容器绝缘膜和上电极。

2.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括：

在所述去除具体地落在所述第一绝缘膜的顶表面和侧面上的部分中的所述下电极膜之后，

去除所述第一绝缘膜。

3.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括：

在所述半导体衬底上方依次堆叠绝缘中间层和第一绝缘膜之前，

在所述半导体衬底和所述绝缘中间层之间依次堆叠第二绝缘膜和第三绝缘膜；以及

依次选择性地去除所述第三绝缘膜和第二绝缘膜，从而形成延伸穿过所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜的接触孔，然后在所述接触孔中形成连接到所述下电极膜的接触，

其中，在所述形成所述孔时，利用所述第三绝缘膜作为蚀刻停止膜来形成所述孔。

4.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

绝缘中间层，形成在所述半导体衬底的上方；

第一绝缘膜，形成在所述绝缘中间层的上方；以及

圆柱电容器，填充在形成为延伸穿过所述绝缘中间层和所述第一绝缘膜的孔中，

其中，所述第一绝缘膜被构造为从所述孔的边缘朝向中心突出，

所述圆柱电容器被构造为具有依次堆叠的下电极膜、电容器绝缘膜和上电极，并且

所述下电极膜的顶表面被位于所述孔的上部的所述第一绝缘膜的突出部分覆盖。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述绝缘中间层是氧化硅膜。

6.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘膜是氮化物膜。

7.如权利要求4所述的半导体器件，被构造为还具有依次堆叠在所述半导体衬底与所述绝缘中间层之间的第二绝缘膜和第三绝缘膜，以及

所述第二绝缘膜和第三绝缘膜具有形成在其中的、连接到所述下电极膜的接触。