[发明专利]蓄电装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810108673.3 申请日: 2008-05-30
公开(公告)号: CN101315991A 公开(公告)日: 2008-12-03
发明(设计)人: 盐崎龙二;安东信雄;金子聪子;谷口雅彦 申请(专利权)人: 富士重工业株式会社
主分类号: H01M10/04 分类号: H01M10/04;H01M10/36;H01M10/00;H01M6/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种蓄电装置的制造方法,其用于制造在正极和负极中嵌入离子的蓄电装置,

其特征在于,

该制造方法中具有嵌入工序,其将所述正极和离子供给源连接,同时将所述负极和离子供给源连接,在不会使嵌入速度大幅降低的充放电深度范围内,从所述离子供给源向所述正极和所述负极这两者嵌入离子。

2.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法,其特征在于,

所述嵌入工序中,对所述正极和所述离子供给源之间的通电状态进行控制。

3.根据权利要求2所述的蓄电装置的制造方法,其特征在于,

所述嵌入工序中,使用第1通电控制部,将所述正极和所述离子供给源之间控制为规定的通电状态,使用第2通电控制部,将所述负极和所述离子供给源之间控制为规定的通电状态。

4.一种蓄电装置,其在正极和负极中嵌入离子,

其特征在于,

该蓄电装置是经由嵌入工序而制造的,在该嵌入工序中,将所述正极和离子供给源连接,同时将所述负极和离子供给源连接,在不会使嵌入速度大幅降低的充放电深度范围内,从所述离子供给源向所述正极和所述负极这两者嵌入离子。

5.根据权利要求4所述的蓄电装置,其特征在于,

在所述嵌入工序中,对所述正极和所述离子供给源之间的通电状态进行控制。

6.根据权利要求5所述的蓄电装置,其特征在于,

所述嵌入工序中,使用第1通电控制部,将所述正极和所述离子供给源之间控制为规定的通电状态,使用第2通电控制部,将所述负极和所述离子供给源之间控制为规定的通电状态。

7.根据权利要求4所述的蓄电装置,其特征在于,

所述正极具有正极集电体和正极复合层,所述负极具有负极集电体和负极复合层,在所述正极集电体和所述负极集电体上形成通孔。

8.根据权利要求4所述的蓄电装置,其特征在于,

蓄电装置的结构为将所述正极和所述负极交替层叠的层叠型,或者将所述正极和所述负极叠放后卷绕的卷绕型。

9.根据权利要求4所述的蓄电装置,其特征在于,

所述负极中含有易石墨化碳材料和石墨中的至少任意一种。

10.根据权利要求4所述的蓄电装置,其特征在于,

所述正极中含有钒的氧化物,其具有层长度大于或等于1nm而小于或等于30nm的层状晶粒。

11.根据权利要求10所述的蓄电装置,其特征在于,

所述钒的氧化物中,在任意剖面中都含有面积比率大于或等于30%的所述层状晶粒。

12.根据权利要求10所述的蓄电装置,其特征在于,

所述钒的氧化物为水溶性。

13.根据权利要求10所述的蓄电装置,其特征在于,

所述钒的氧化物是通过将水溶液蒸发干燥而制造的。

14.根据权利要求10所述的蓄电装置,其特征在于,

所述钒的氧化物是在小于250℃下进行处理的。

15.根据权利要求10所述的蓄电装置,其特征在于,

所述钒的氧化物的X射线衍射图案在衍射角2θ为5~15°的范围内具有峰值。

16.根据权利要求10所述的蓄电装置,其特征在于,

所述钒的氧化物是经过使用锂离子源进行处理而获得的。

17.根据权利要求4至16中任意一项所述的蓄电装置,其特征在于,

所述正极含有导电性材料。

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