[发明专利]蓄电装置及其制造方法有效
申请号: | 200810108673.3 | 申请日: | 2008-05-30 |
公开(公告)号: | CN101315991A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 盐崎龙二;安东信雄;金子聪子;谷口雅彦 | 申请(专利权)人: | 富士重工业株式会社 |
主分类号: | H01M10/04 | 分类号: | H01M10/04;H01M10/36;H01M10/00;H01M6/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种蓄电装置的制造方法,其用于制造在正极和负极中嵌入离子的蓄电装置,
其特征在于,
该制造方法中具有嵌入工序,其将所述正极和离子供给源连接,同时将所述负极和离子供给源连接,在不会使嵌入速度大幅降低的充放电深度范围内,从所述离子供给源向所述正极和所述负极这两者嵌入离子。
2.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法,其特征在于,
所述嵌入工序中,对所述正极和所述离子供给源之间的通电状态进行控制。
3.根据权利要求2所述的蓄电装置的制造方法,其特征在于,
所述嵌入工序中,使用第1通电控制部,将所述正极和所述离子供给源之间控制为规定的通电状态,使用第2通电控制部,将所述负极和所述离子供给源之间控制为规定的通电状态。
4.一种蓄电装置,其在正极和负极中嵌入离子,
其特征在于,
该蓄电装置是经由嵌入工序而制造的,在该嵌入工序中,将所述正极和离子供给源连接,同时将所述负极和离子供给源连接,在不会使嵌入速度大幅降低的充放电深度范围内,从所述离子供给源向所述正极和所述负极这两者嵌入离子。
5.根据权利要求4所述的蓄电装置,其特征在于,
在所述嵌入工序中,对所述正极和所述离子供给源之间的通电状态进行控制。
6.根据权利要求5所述的蓄电装置,其特征在于,
所述嵌入工序中,使用第1通电控制部,将所述正极和所述离子供给源之间控制为规定的通电状态,使用第2通电控制部,将所述负极和所述离子供给源之间控制为规定的通电状态。
7.根据权利要求4所述的蓄电装置,其特征在于,
所述正极具有正极集电体和正极复合层,所述负极具有负极集电体和负极复合层,在所述正极集电体和所述负极集电体上形成通孔。
8.根据权利要求4所述的蓄电装置,其特征在于,
蓄电装置的结构为将所述正极和所述负极交替层叠的层叠型,或者将所述正极和所述负极叠放后卷绕的卷绕型。
9.根据权利要求4所述的蓄电装置,其特征在于,
所述负极中含有易石墨化碳材料和石墨中的至少任意一种。
10.根据权利要求4所述的蓄电装置,其特征在于,
所述正极中含有钒的氧化物,其具有层长度大于或等于1nm而小于或等于30nm的层状晶粒。
11.根据权利要求10所述的蓄电装置,其特征在于,
所述钒的氧化物中,在任意剖面中都含有面积比率大于或等于30%的所述层状晶粒。
12.根据权利要求10所述的蓄电装置,其特征在于,
所述钒的氧化物为水溶性。
13.根据权利要求10所述的蓄电装置,其特征在于,
所述钒的氧化物是通过将水溶液蒸发干燥而制造的。
14.根据权利要求10所述的蓄电装置,其特征在于,
所述钒的氧化物是在小于250℃下进行处理的。
15.根据权利要求10所述的蓄电装置,其特征在于,
所述钒的氧化物的X射线衍射图案在衍射角2θ为5~15°的范围内具有峰值。
16.根据权利要求10所述的蓄电装置,其特征在于,
所述钒的氧化物是经过使用锂离子源进行处理而获得的。
17.根据权利要求4至16中任意一项所述的蓄电装置,其特征在于,
所述正极含有导电性材料。
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