[发明专利]电流产生器无效
申请号: | 200810108790.X | 申请日: | 2008-06-02 |
公开(公告)号: | CN101598952A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 谢致远;尹又本 | 申请(专利权)人: | 联咏科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F3/16 | 分类号: | G05F3/16;H03F3/45 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 蒲迈文 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 产生器 | ||
1.一种电流产生器,包括:
一截波稳定型运算放大器,具有第一输入端、第二输入端与输出端, 其中,该截波稳定型运算放大器可消除低频噪声及偏移电压,该截波稳定 型运算放大器包括:
一第一切换器,具有第一端、第二端、第三端与第四端,用以选 择将其第一端与第二端分别电性连接至其第三端与第四端,或者选择将其 第一端与第二端分别电性连接至其第四端与第三端,其中该第一切换器的 第一端与第二端分别作为该截波稳定型运算放大器的第一输入端与第二输 入端;
一放大器,其第一输入端与第二输入端分别耦接至该第一切换器 的第三端与第四端;以及
一第二切换器,具有第一端、第二端、第三端与第四端,用以选 择将其第一端与第二端分别电性连接至其第三端与第四端,或者选择将其 第一端与第二端分别电性连接至其第四端与第三端,其中该第二切换器的 第一端与第二端分别耦接至该放大器的第一输出端与第二输出端,而该第 二切换器的第三端作为该截波稳定型运算放大器的输出端;
一晶体管,其栅极耦接至该截波稳定型运算放大器的输出端,该晶体 管的第一源漏极耦接至该截波稳定型运算放大器的第一输入端,而该晶体 管的第二源漏极作为该电流产生器的电流输出端;以及
一阻抗,其第一端耦接至该晶体管的第一源漏极,而该阻抗的第二端 耦接至一第一电压。
2.如权利要求1所述的电流产生器,其中一负载耦接于该电流产生器 的电流输出端与一第二电压之间,而该第一电压与该第二电压分别是系统 电压与接地电压。
3.如权利要求1所述的电流产生器,其中一负载耦接于该电流产生器 的电流输出端与一第二电压之间,而该第一电压与该第二电压分别是接地 电压与系统电压。
4.如权利要求1所述的电流产生器,其中该晶体管是P型金属氧化物 半导体晶体管。
5.如权利要求1所述的电流产生器,其中该晶体管是N型金属氧化物 半导体晶体管。
6.如权利要求1所述的电流产生器,其中该阻抗包括一电阻。
7.如权利要求1所述的电流产生器,其中该阻抗为一第二晶体管,而 该电流产生器还包括:
一第三晶体管,其第一源漏极耦接至该截波稳定型运算放大器的第二 输入端,该第三晶体管的栅极耦接至第二源漏极,而该第三晶体管的第二 源漏极接收一参考电流;以及
一第四晶体管,其第一源漏极耦接至该第一电压,其第二源漏极耦接 至该第三晶体管的第一源漏极,而该第四晶体管的栅极耦接至该第二晶体 管的栅极以及该第三晶体管的栅极。
8.如权利要求7所述的电流产生器,其中该第二晶体管、该第三晶体 管与该第四晶体管均为N型金属氧化物半导体晶体管。
9.如权利要求1所述的电流产生器,其中该晶体管是操作于饱和区。
10.如权利要求1所述的电流产生器,其中该晶体管是操作于线性区。
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