[发明专利]多晶硅层的制法、TFT及其制法及OLED显示装置

权利要求书

1.一种从多晶硅层的第一预定区域去除结晶诱导金属的方法，所述多晶硅层由金属诱导晶化技术、金属诱导横向晶化技术或者超晶粒硅技术形成，所述方法包括：

提供与所述多晶硅层的第二预定区域中的多晶硅层相接触的金属层图案或者金属硅化物层图案，该第二预定区域与第一预定区域相连；和

进行退火以将存在于所述第一预定区域中的结晶诱导金属吸到所述第二预定区域。

2.如权利要求1所述的方法，其中与所述多晶硅层的第二预定区域中的多晶硅层相接触的所述金属层图案或者金属硅化物层图案的提供通过在所述多晶硅层的所述第二预定区域中的所述多晶硅层上形成所述金属层图案或者所述金属硅化物层图案来完成。

3.如权利要求1所述的方法，其中与所述多晶硅层的第二预定区域中的多晶硅层相接触的所述金属层图案或者金属硅化物层图案的提供通过这样的步骤来完成：在衬底上形成所述金属层图案或者金属硅化物层图案；形成非晶硅层使得成为所述第一预定区域的所述非晶硅层的第一区域接触所述衬底并且成为所述第二预定区域的所述非晶硅层的第二区域接触所述金属层图案或者金属硅化物层图案；通过金属诱导晶化技术、金属诱导横向晶化技术或者超晶粒硅技术，结晶所述非晶硅层，以形成所述多晶硅层。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第二预定区域形成为距所述第一预定区域50微米或者更小的距离。

5.如权利要求1-4之一所述的方法，其中包括在所述金属层图案中的金属或者金属硅化物层图案中的金属硅化物的扩散系数为所述结晶诱导金属扩散系数的1/100或者更小。

6.如权利要求1-4之一所述的方法，其中所述结晶诱导金属包括镍，并且包括在所述金属层图案中的金属或者包括在所述金属硅化物层图案中的金属硅化物的扩散系数从大于0到10^-7cm²/s。

7.如权利要求1-4之一所述的方法，其中所述金属层图案或者金属硅化物层图案包括从钪、钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铼、钌、锇、钴、铑、铱、铂、钇、镧、铈、镨、钕、镝、钬、氮化钛、氮化钽及其合金或者其硅化物组成的组中选择的一个。

8.如权利要求1-4之一所述的方法，其中所述退火在500℃到993℃温度下进行10秒到10小时。

9.一种制作多晶硅层的方法，包括：

在衬底上形成非晶硅层；

利用结晶诱导金属使所述非晶硅层结晶为多晶硅层；

形成与所述多晶硅层的上方或下方区域相接触的金属层图案或者金属硅化物层图案，所述多晶硅层的上方和下方区域与多晶硅层中沟道区之外的区域相对应；以及

退火所述衬底，以将存在于所述多晶硅层沟道区中的结晶诱导金属吸到多晶硅层与金属层图案或者金属硅化物层图案相对应的区域。

10.如权利要求9所述的方法，其中在所述多晶硅层中，所述金属层图案或者金属硅化物层图案包括扩散系数比所述结晶诱导金属小的金属或者金属硅化物或者二者的合金。

11.如权利要求10所述的方法，其中包括在所述金属层图案中的金属或者包括在所述金属硅化物层图案中的金属硅化物的扩散系数为所述结晶诱导金属扩散系数的1/100或者更小。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述结晶诱导金属包括镍，并且包括在所述金属层图案中的金属或者包括在所述金属硅化物层图案中的金属硅化物的扩散系数从大于0到10^-7cm²/s。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述金属层图案或者金属硅化物层图案包括从钪、钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铼、钌、锇、钴、铑、铱、铂、钇、镧、铈、镨、钕、镝、钬、氮化钛、氮化钽及其合金或硅化物组成的组中选择的一个。

14.如权利要求9所述的方法，其中所述退火在500℃到993℃温度下进行10秒到10小时。

15.如权利要求9所述的方法，其中所述非晶硅层的结晶通过金属诱导晶化技术、金属诱导横向晶化技术或者超晶粒硅技术实施。

16.如权利要求9所述的方法，其中所述金属层图案或者金属硅化物层图案形成为与所述多晶硅层中的沟道区分隔50微米或者更小。