[发明专利]固态成像装置及其生产方法以及成像设备有效

专利信息
申请号: 200810108810.3 申请日: 2008-05-26
公开(公告)号: CN101312204A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 马渕圭司 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/225
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 马高平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固态 成像 装置 及其 生产 方法 以及 设备
【权利要求书】:

1.一种固态成像装置,包括:

半导体基板,具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;

多个光接收区域,形成在所述半导体基板上,分别具有形成在所述半导 体基板的第一表面侧的部分中的第一表面侧区域和形成在所述半导体基板 的第二表面侧的部分中的第二表面侧区域;以及

像素电路,形成在所述半导体基板的所述第一表面侧上,并且由所述多 个光接收区域共享,其中

所述半导体基板的所述第二表面侧与形成有所述像素电路的所述第一 表面侧相对,所述第二表面侧作为所述光接收区域的光入射侧,并且其中

形成在所述半导体基板的所述第二表面侧的部分中的所述光接收区域 的所述第二表面侧区域以近似均匀的间隔布置,而形成在所述半导体基板的 所述第一表面侧的部分中的所述光接收区域的所述第一表面侧区域以不均 匀的间隔布置,并且在所述半导体基板中所述光接收区域的所述第二表面侧 区域和所述第一表面侧区域相应连接,使得所述光接收区域从所述半导体基 板的所述第二表面侧延伸到所述第一表面侧。

2.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中所述光接收区域的所述 第二表面侧区域距所述半导体基板的所述第二表面的深度为1μm至5μm。

3.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中通过从所述半导体基板 的所述第一表面侧进行离子注入,形成所述光接收区域的所述第二表面侧区 域。

4.根据权利要求3所述的固态成像装置,其中改变能量执行几次所述 离子注入,并且所述第一表面侧区域的浓度高于所述第二表面侧区域的浓 度。

5.根据权利要求3所述的固态成像装置,其中在形成器件分隔区域前 执行所述离子注入。

6.一种成像设备,包括:

固态成像装置;

成像光学单元,将来自成像物体的光引导到所述固态成像装置;以及

信号处理单元,处理从所述固态成像装置输出的图像信号,其中

所述固态成像装置包括:

半导体基板,具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;

多个光接收区域,形成在所述半导体基板上,分别具有形成在所述 半导体基板的第一表面侧的部分中的第一表面侧区域和形成在所述半导体 基板的第二表面侧的部分中的第二表面侧区域;以及

像素电路,形成在所述半导体基板的所述第一表面侧上,并且由所 述多个光接收区域共享,其中

所述半导体基板的所述第二表面侧与形成有所述像素电路的所述第一 表面侧相对,所述第二表面侧作为所述光接收区域的光入射侧,并且其中

形成在所述半导体基板的所述第二表面侧的部分中的所述光接收区域 的所述第二表面侧区域以近似均匀的间隔布置,而形成在所述半导体基板的 所述第一表面侧的部分中的所述光接收区域的所述第一表面侧区域以不均 匀的间隔布置,并且在所述半导体基板中所述光接收区域的所述第二表面侧 区域和所述第一表面侧区域相应连接,使得所述光接收区域从所述半导体基 板的所述第二表面侧延伸到所述第一表面侧。

7.一种固态成像装置的生产方法,包括如下步骤:

从半导体基板的第一表面侧注入第一导电类型的杂质,以在所述半导体 基板的第二表面侧的部分中以近似均匀的间隔形成光接收区域的第二表面 侧区域;

在所述半导体基板的第一表面侧的部分中形成器件分隔区域;

在所述半导体基板的所述第一表面上形成栅极电极;

从所述半导体基板的所述第一表面侧注入在所述光接收区域的所述第 二表面侧区域上的第二导电类型杂质,以在所述半导体基板的所述第一表面 侧的部分中以不均匀的间隔形成所述光接收区域的第一表面侧区域;

在所述半导体基板的所述第一表面上形成层间绝缘层和配线层;以及

从所述半导体基板的与所述第一表面相对的所述第二表面侧蚀刻所述 半导体基板,以露出在所述半导体基板的所述第二表面侧的部分中以近似均 匀的间隔布置的所述光接收区域的所述第二表面侧区域,

其中

从所述半导体基板的所述第一表面侧注入杂质以便形成所述光接收区 域的第二表面侧区域的步骤在形成所述器件分隔区域的步骤前执行。

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