[发明专利]固态成像装置及照相机有效
申请号: | 200810108811.8 | 申请日: | 2008-05-26 |
公开(公告)号: | CN101312205A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 广田功 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 照相机 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
基板,构造成具有用光照射的第一基板表面和其上形成元件的第二基板表面;
光接收部分,构造成形成在该基板中,并且包括第一导电类型导电层,该光接收部分通过该第一基板表面接收光,并且具有对接收的光的光电转换功能和电荷积聚功能;
第二导电类型隔离层,构造成形成在该光接收部分的该第一导电类型导电层的侧面上;
检测晶体管,构造成包括靠近该第二基板表面形成在该第一导电类型导电层中的第二导电类型电极层,该检测晶体管检测该光接收部分中积聚的电荷,并且具有阈值调制功能;以及
复位晶体管,构造成包括第一导电类型电极层,该第一导电类型电极层形成在该第二导电类型隔离层中,该第二导电类型隔离层沿着平行于基板表面的方向相邻于该检测晶体管的形成区域,该复位晶体管还包括在该第一导电类型电极层和该检测晶体管的该第二导电类型电极层之间的该第二导电类型隔离层,该检测晶体管的该第二导电类型电极层相邻于该第二导电类型隔离层,该复位晶体管还包括该光接收部分的该第一导电类型导电层。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
该光接收部分包括:
第一导电类型第一导电层,靠近该第一基板表面形成,并且接收光以基于光电转换产生电荷;和
第一导电类型第二导电层,比该第一导电类型第一导电层更靠近该第二基板表面形成,并且积聚由该第一导电类型第一导电层产生的电荷。
3.根据权利要求2所述的固态成像装置,其中
该第一导电类型第一导电层的杂质浓度比该第一导电类型第二导电层的杂质浓度低。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
具有高于该第二导电类型隔离层的杂质浓度的杂质浓度并且具有钉扎功能的第二导电类型层形成在该第一基板表面上。
5.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
透明电极形成在该第一基板表面的光入射侧上,用于促进钉扎功能的偏置电压施加到该透明电极。
6.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
该第二导电类型隔离层具有单元隔离功能和释放由该光接收部分的该第一导电类型导电层产生的电荷中的不必要电荷的功能,该不必要电荷经由该检测晶体管相邻于该第二导电类型隔离层的该第二导电类型电极层释放。
7.根据权利要求2所述的固态成像装置,其中
由该第二导电类型隔离层隔离的单元中,该第一导电类型第一导电层由第二导电类型层沿着该基板的法线方向分成两个区域,以由此形成第一区域和第二区域,
第一导电类型第二电极层形成在沿着平行于该基板表面的方向上相邻于该第一区域的该第二导电类型隔离层中,
透明电极形成在该第一基板表面的光入射侧上,用于促进钉扎功能的偏置电压施加到该透明电极,并且
形成有存储晶体管,该存储晶体管包括该第一导电类型第二电极层、该第一导电类型第二电极层和该光接收部分的该第一区域之间的该第二导电类型隔离层、以及该光接收部分的该第一区域。
8.根据权利要求7所述的固态成像装置,其中
该第一区域起电荷产生和电荷存储区域的功能,并且
该第二区域起检测区域的功能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的