[发明专利]电阻随机存取存储器装置

权利要求书

1.一种电阻随机存取存储器装置，包括：

至少一个第一电极；

至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极分开；

第一结构，在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间，第 一结构包括形成在所述至少一个第一电极上的第一电阻改变层、第一中间电 极和第一开关元件，第一中间电极在第一电阻改变层和第一开关元件之间， 并将第一电阻改变层电连接到第一开关元件，

其中，所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极包括具有贵金属 和贱金属的合金层。

2.如权利要求1所述的装置，其中，合金层由二元合金和三元合金组成 的组中的至少一种形成。

3.如权利要求2所述的装置，其中，贵金属为从Pt、Ir、Ru、Pd和Au 中选择的任意一种。

4.如权利要求3所述的装置，其中，合金层为Pt-Ti合金层或Pt-Ni合 金层。

5.如权利要求4所述的装置，其中，在Pt-Ti合金层中，Ti的含量X为 0mol％＜X≤40mol％。

6.如权利要求4所述的装置，其中，在Pt-Ni合金层中，Ni的含量Y 为0mol％＜Y≤90mol％。

7.如权利要求1所述的装置，其中，第一中间电极包括合金层。

8.如权利要求1所述的装置，其中，第一开关元件为第一氧化物二极管。

9.如权利要求1所述的装置，其中，第一电阻改变层、第一中间电极、 第一开关元件和所述至少一个第二电极顺序形成在所述至少一个第一电极 上。

10.如权利要求1所述的装置，其中，第一开关元件、第一中间电极、 第一电阻改变层和所述至少一个第二电极顺序形成在所述至少一个第一电极 上。

11.如权利要求1所述的装置，其中，所述至少一个第一电极和所述至 少一个第二电极为彼此交叉的多条线，第一结构位于所述至少一个第一电极 和所述至少一个第二电极之间的交叉处。

12.如权利要求1所述的装置，还包括：

至少一个第三电极，与所述至少一个第二电极分开；

第二结构，包括在所述至少一个第二电极和所述至少一个第三电极之间 的第二电阻改变层；

第二开关元件，电连接到第二电阻改变层。

13.如权利要求12所述的装置，其中，所述至少一个第三电极包括合金 层。

14.如权利要求12所述的装置，其中，第二结构包括第二开关元件和在 第二电阻改变层和第二开关元件之间的第二中间电极。

15.如权利要求14所示的装置，其中，第二中间电极包括合金层。

16.如权利要求14所述的装置，其中，第二开关元件为第二氧化物二极 管。

17.如权利要求14所述的装置，其中，第二电阻改变层、第二中间电极、 第二开关元件和所述至少一个第三电极顺序形成在所述至少一个第二电极 上。

18.如权利要求14所述的装置，其中，第二开关元件、第二中间电极、 第二电阻改变层和所述至少一个第三电极顺序形成在所述至少一个第二电极 上。

19.如权利要求14所述的装置，其中，所述至少一个第二电极和所述至 少一个第三电极为彼此交叉的多条线，第二结构位于所述至少一个第二电极 和所述至少一个第三电极之间的交叉处。

20.如权利要求19所述的装置，其中，电阻随机存取存储器装置为具有 一二极管-一电阻器的单元结构的多层交叉点电阻随机存取存储器装置。

21.如权利要求1所述的装置，其中，第一电阻改变层包括可逆地从高 电阻状态转变到低电阻状态或从低电阻状态转变到高电阻状态的元件。

22.如权利要求1所述的装置，其中，第一电阻改变层包括不可逆地从 高电阻状态转变到低电阻状态的元件。