[发明专利]日照控制低辐射涂层有效

专利信息
申请号: 200810109199.6 申请日: 2008-05-23
公开(公告)号: CN101367620A 公开(公告)日: 2009-02-18
发明(设计)人: J·R·杰曼;G·L·普法夫 申请(专利权)人: 卡迪奈尔镀膜玻璃公司
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 苗征;于辉
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 日照 控制 辐射 涂层
【权利要求书】:

1.具有日照控制低辐射涂层的透明基底,该涂层包含:

包含银的最内层红外反射膜和包含银的最外层红外反射膜;

位于基底和最内层红外反射膜之间的第一介电吸收膜,该第一介 电吸收膜具有在0.52和1.9之间的中性吸收比k380<λ<450nm/k650<λ<760nm;和

比最外层红外反射膜距离基底更远的第二介电吸收膜,该第二介电吸 收膜具有在0.52和1.9之间的中性吸收比k380<λ<450nm/k650<λ<760nm

2.权利要求1的基底,其中所述涂层为在最内层和最外层红外反射膜 之间具有中间涂层的双型低辐射涂层,其中所述中间涂层不包括任何介电 吸收膜,而主要由透明介电膜组成。

3.权利要求1的基底,其中所述涂层是三型低辐射涂层,其还包括包 含银的中间层红外辐射膜,该涂层在最内层和中间层红外反射膜之间具有 第一间隔涂层,在中间层和最外层红外反射膜之间具有第二间隔涂层,其 中所述间隔涂层并不包括任何介电吸收膜,而主要由透明介电膜组成。

4.权利要求1的基底,其中所述第一和第二介电吸收膜都包含氮化物 膜。

5.权利要求1的基底,其中所述第一和第二介电吸收膜中的至少之一 包含氮化物混合物,该氮化物混合物包括氮化硅与另一种氮化物的混合。

6.权利要求1的基底,其中所述第一和第二介电吸收膜都包含氮化物 混合物,该氮化物混合物包括氮化硅和至少一种选自氮化钛、氮化铌、氮 化锆、氮化铬和氮化镍-铬的氮化物的混合。

7.权利要求1的基底,其中所述第一和第二介电吸收膜中的至少之一 包含氮化钛和/或氮化铌。

8.权利要求1的基底,其中所述第一和第二介电吸收膜各具有小于 的光学厚度。

9.权利要求1的基底,其中所述涂覆基底具有小于0.60的单片可见光 透射率。

10.权利要求9的基底,其中所述单片可见光透射率在0.30和0.50之 间。

11.权利要求1的基底,其中所述涂覆基底的单片透射颜色的特征为根 据1931CIE颜色标准的下列色坐标:0.2<x<0.35,0.2<y<0.35。

12.权利要求1的基底,其中所述透明基底为玻璃板,该玻璃板为多块 隔热玻璃单元的一部分。

13.具有日照控制低辐射涂层的透明基底,该涂层为双型低辐射涂层, 其包含:

包含银的第一红外反射膜和包含银的第二红外反射膜,第一红外反射 膜比第二红外反射膜更接近基底;

位于第一和第二红外反射膜之间的中间涂层,其中该中间涂层不包括 任何介电吸收膜,而主要由透明介电膜组成;

位于基底和第一红外反射膜之间的第一介电吸收膜;并且

第二介电吸收膜比第二红外反射膜距离基底更远,

其中所述第一和第二介电吸收膜中的至少之一具有在0.52和1.9之间 的中性吸收比k380<λ<450nm/k650<λ<760nm

14.权利要求13的基底,其中所述第一和第二介电吸收膜都包含氮化 物膜。

15.权利要求13的基底,其中所述第一和第二介电吸收膜中的至少之 一包含氮化物混合物,该氮化物混合物包括氮化硅与另一种氮化物的混合。

16.权利要求13的基底,其中所述第一和第二介电吸收膜包含氮化物 混合物,该氮化物混合物包括氮化硅和至少一种选自氮化钛、氮化铌、氮 化锆、氮化铬和氮化镍-铬的氮化物的混合。

17.权利要求13的基底,其中所述第一和第二介电吸收膜中至少之一 包含氮化钛和/或氮化铌。

18.权利要求13的基底,其中所述第一和第二介电吸收膜各具有小于 的光学厚度。

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