[发明专利]半导体装置及便携式设备

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一半导体元件；和

层积于所述第一半导体元件上、具有从所述第一半导体元件的外缘突出的突出部的第二半导体元件，

所述第二半导体元件具有第一电路区域和相比该第一电路区域更容易在高温下发热的第二电路区域，该第二电路区域配置为含有所述突出部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一半导体元件及所述第二半导体元件配置于基板上，并且通过形成于该基板上的树脂层来密封，

所述树脂层形成为所述第二半导体元件的含有所述第二电路区域的端部和与该端部相对应的所述树脂层的侧壁面之间的间隔比其他端部与相应的树脂层侧壁面之间的间隔短。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

在连接包含于所述第一电路区域的电极部和设置于基板的端子的第一布线中流动的电流量，比在连接包含于所述第二电路区域的电极部和设置于基板的端子的第二布线中流动的电流量小。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

连接有所述第二布线的基板端子设置在与含有所述第二电路区域的端部和与该端部相对应的所述树脂层侧壁面之间的区域不同的区域。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

所述树脂层形成为所述端部和与该端部相对应的所述树脂层的侧壁面的间隔比所述第二半导体元件的上面和所述树脂层的上面的间隔短。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

所述树脂层形成为所述端部和与该端部相对应的所述树脂层的侧壁面的间隔比所述第二半导体元件上面和所述树脂层的上面的间隔短。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述树脂层形成为所述端部和与该端部相对应的所述树脂层的侧壁面的间隔比所述第二半导体元件的上面和所述树脂层的上面的间隔短。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二半导体元件以该第二半导体元件的多条边从所述第一半导体元件的外缘突出的方式层积在该第一半导体元件上。

9.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二半导体元件以该第二半导体元件的多条边从所述第一半导体元件的外缘突出的方式层积在该第一半导体元件上。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二半导体元件以该第二半导体元件的四条边从所述第一半导体元件的外缘突出的方式层积在该第一半导体元件上。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二半导体元件以该第二半导体元件的四条边从所述第一半导体元件的外缘突出的方式层积在该第一半导体元件上。

12.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二半导体元件以该第二半导体元件的四条边从所述第一半导体元件的外缘突出的方式层积在该第一半导体元件上。

13.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二半导体元件以该第二半导体元件的四条边从所述第一半导体元件的外缘突出的方式层积在该第一半导体元件上。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一半导体元件在与层积有所述第二半导体元件的侧面相反侧的面上，形成有与基板连接的多个突起电极端子。

15.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一半导体元件在与层积有所述第二半导体元件的侧面相反侧的面上，形成有与基板连接的多个突起电极端子。

16.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一半导体元件在与层积有所述第二半导体元件的侧面相反侧的面上，形成有与基板连接的多个突起电极端子。

17.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二电路区域含有电极部，

所述电极部配置于所述第一半导体元件和所述第二半导体元件重叠的区域。