[发明专利]清洁图案化设备以及在衬底上沉积层系统的方法和系统

说明书

技术领域

本发明涉及对图案化设备进行清洁的方法，所述图案化设备至少具有沉积于其上的有机涂敷材料(OLED材料)；在衬底上沉积层系统的方法，优选为这样的层系统，所述层系统包括至少一个包括有机发光半导体材料(OLED材料)的层；用于对图案化设备进行清洁的系统，所述图案化设备至少具有沉积于其上的有机涂敷材料(OLED材料)；以及用于在衬底上沉积层系统的涂敷系统，优选为这样的层系统，所述层系统包括至少一个包括有机发光半导体材料(OLED材料)的层。

背景技术

在多种技术应用中，需要在衬底上沉积层或多层系统。例如，在生产所谓的OLED(有机发光二极管)显示器或屏幕时，各个层系统具有至少一个光发射层，光发射层包括沉积在透明衬底(例如玻璃)上的有机电致发光材料(OLED材料)。发光的有机材料的一种典型示例是Alq₃。

OLED层可以具有微结构，例如用于提供像素，所述像素可以被相应的电极层活化以发射光。微结构是通过图案化设备(例如荫罩)来产生的，所述图案化设备具有与OLED层的微结构对应的/互补的结构。

微结构化的OLED材料通常被利用真空涂敷处理沉积在衬底上。荫罩被置于衬底表面与材料源之间的衬底上，所述材料源提供将被沉积在衬底表面上的有机涂敷材料。

在涂敷处理过程中，涂敷颗粒也不可避免地无意沉积在荫罩上。因此，具有很小尺度微结构的荫罩受到污染，必须在一个或多个涂敷循环之后被拆下进行清洁。因此，根据现有技术，OLED荫罩在预定的使用时间长度之后被从真空涂敷室拆下。随后，在大气压下执行湿法化学清洁处理。因此，在使用湿法化学清洁处理时，涂敷室的在线(in-line)设备中的OLED涂敷处理不得不被中断，以从各个真空涂敷室拆下荫罩。

此外，已经实验了使用氧/氩(O₂/Ar)混合物的线性离子源来清洁荫罩。但是，对于使用商业应用中的处理而言，用于对荫罩进行清洁的周期太长了。此外，金属荫罩的温度发生显著升高，给荫罩造成了较高的热负荷、热应力和破坏。

发明内容

本发明的一个目的是提供清洁方法、OLED涂敷方法、清洁系统、OLED涂敷系统，它们便于在线(in-line)OLED涂敷设备的连续工作。

上述目的是通过提供下列内容而解决的：根据权利要求1对图案化设备进行清洁的方法、根据权利要求11在衬底上沉积层系统的方法、根据权利要求12对图案化设备进行清洁的系统、以及根据权利要求17在衬底上沉积层系统的涂敷系统。优选实施例的特征在从属权利要求中描述。

根据本发明对图案化设备进行清洁的方法被提供来清洁图案化设备，所述图案化设备至少具有沉积于其上的包括有机涂敷材料(OLED材料)的层。该方法包括这样的步骤：提供清洁等离子体，以通过等离子体刻蚀处理从所述图案化设备除去所述涂敷材料。

发明人已经发现，在真空气氛中对荫罩进行清洁时，可以便于在线OLED涂敷设备中的连续涂敷处理。可以不必排空OLED涂敷设备中的涂敷室、处理室或传送室。由于在真空气氛下执行等离子体刻蚀处理，所以可以在涂敷室自身中清洁荫罩，或优选地在另一个真空室中进行，所述另一个真空室是为进行清洁而提供的，并耦合到所述涂敷系统。

优选地，在从所述图案化设备除去所述涂敷材料的所述步骤过程中，所述图案化设备的温度不超过120℃，特别是100℃，特别是80℃。

由于通常图案化设备是由金属材料制成的或至少包括金属材料的荫罩，所以在超过特定的温度时(至少在特定的时间长度内)不能避免对荫罩的破坏。当然，最大温度取决于所用的材料、刻蚀处理种类等。最大温度可以是120℃、110℃、100℃、90℃、80℃或更低。

优选地，在从所述图案化设备除去所述涂敷材料的所述步骤过程中，所述图案化设备的温度不超过给所述图案化设备造成破坏的临界温度。

在从所述图案化设备除去所述涂敷材料的所述步骤过程中，优选地维持至少0.2μm/min、特别是0.5μm/min、特别是1μm/min、特别是2.5μm/min、特别是5μm/min的等离子体刻蚀率。

这意味着将有机涂敷材料从荫罩刻蚀掉所需的时间长度很短。例如，在将经过处理的衬底传送到在线OLED涂敷设备的下一个真空室中的同时，可以在涂敷循环之后对荫罩进行清洁。由于高刻蚀率，所以只需要一个荫罩组。