[发明专利]导电高分子单体的合成方法有效
申请号: | 200810109524.9 | 申请日: | 2008-05-27 |
公开(公告)号: | CN101591345A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | 佘怡璇;陈尹晨;许光美 | 申请(专利权)人: | 丰笙科技工业股份有限公司 |
主分类号: | C07D495/04 | 分类号: | C07D495/04 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 翟 羽 |
地址: | 台湾省台中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 高分子 单体 合成 方法 | ||
1.一种导电高分子单体的合成方法,其包含:
以硫代二甘酸(I)为起始物,与甲醇、乙醇、丙醇或丁醇进行酯化反应, 得到硫代二甘酸酯(II);
将硫代二甘酸酯(II)与C1-C4的酯类进行环化反应,得到二烷基-3,4-二羟 基噻吩-2,5-二羧酸酯(III);
将二烷基-3,4-二羟基噻吩-2,5-二羧酸酯(III)利用偶氮二甲酸二异丙酯、乙 二醇与三苯基磷进行闭环反应,得到3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(IV);
对3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(IV)进行酸化反应,得到3,4-烯基二氧噻 吩-2,5-二羧酸(V);及
对3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(V)进行脱羧反应,得到3,4-乙烯二氧噻 吩(VI);
其中,R1及R2是选自甲基或乙基或丙基或丁基。
2.根据权利要求1所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的丙醇 选自正丙醇或异丙醇;所述的丁醇选自正丁醇、异丁醇或叔丁醇。
3.根据权利要求1所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的C1-C4的酯类选自草酸二甲酯或草酸二乙酯或草酸二丁酯。
4.根据权利要求1所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的闭环 反应是在25-65℃的温度下进行。
5.根据权利要求1所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的酸化 反应是先以碱金属的氢氧化物处理,再以盐酸进行反应。
6.根据权利要求5所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的碱金 属的氢氧化物选自氢氧化钠或氢氧化钾或氢氧化锂。
7.根据权利要求5所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的碱金 属的氢氧化物是浓度为5-90%的碱金属的氢氧化物的水溶液。
8.根据权利要求5所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的盐酸 是浓度为5-37%的盐酸的水溶液。
9.根据权利要求1所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的脱羧 反应是以重金属化合物、重金属粉末与二甲基甲酰胺进行反应。
10.根据权利要求9所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的重 金属化合物选自氧化铜或碳酸铜或硫酸铜或氢氧化铜;所述的重金属粉末选 自铜粉。
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