[发明专利]导电高分子单体的合成方法有效

专利信息
申请号: 200810109524.9 申请日: 2008-05-27
公开(公告)号: CN101591345A 公开(公告)日: 2009-12-02
发明(设计)人: 佘怡璇;陈尹晨;许光美 申请(专利权)人: 丰笙科技工业股份有限公司
主分类号: C07D495/04 分类号: C07D495/04
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 代理人: 翟 羽
地址: 台湾省台中*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 导电 高分子 单体 合成 方法
【权利要求书】:

1.一种导电高分子单体的合成方法,其包含:

以硫代二甘酸(I)为起始物,与甲醇、乙醇、丙醇或丁醇进行酯化反应, 得到硫代二甘酸酯(II);

将硫代二甘酸酯(II)与C1-C4的酯类进行环化反应,得到二烷基-3,4-二羟 基噻吩-2,5-二羧酸酯(III);

将二烷基-3,4-二羟基噻吩-2,5-二羧酸酯(III)利用偶氮二甲酸二异丙酯、乙 二醇与三苯基磷进行闭环反应,得到3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(IV);

对3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(IV)进行酸化反应,得到3,4-烯基二氧噻 吩-2,5-二羧酸(V);及

对3,4-烯基二氧噻吩-2,5-二羧酸(V)进行脱羧反应,得到3,4-乙烯二氧噻 吩(VI);

其中,R1及R2是选自甲基或乙基或丙基或丁基。

2.根据权利要求1所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的丙醇 选自正丙醇或异丙醇;所述的丁醇选自正丁醇、异丁醇或叔丁醇。

3.根据权利要求1所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的C1-C4的酯类选自草酸二甲酯或草酸二乙酯或草酸二丁酯。

4.根据权利要求1所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的闭环 反应是在25-65℃的温度下进行。

5.根据权利要求1所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的酸化 反应是先以碱金属的氢氧化物处理,再以盐酸进行反应。

6.根据权利要求5所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的碱金 属的氢氧化物选自氢氧化钠或氢氧化钾或氢氧化锂。

7.根据权利要求5所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的碱金 属的氢氧化物是浓度为5-90%的碱金属的氢氧化物的水溶液。

8.根据权利要求5所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的盐酸 是浓度为5-37%的盐酸的水溶液。

9.根据权利要求1所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的脱羧 反应是以重金属化合物、重金属粉末与二甲基甲酰胺进行反应。

10.根据权利要求9所述的导电高分子单体的合成方法,其中所述的重 金属化合物选自氧化铜或碳酸铜或硫酸铜或氢氧化铜;所述的重金属粉末选 自铜粉。

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