[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法

说明书

本申请是申请日为2004年12月27日、申请号为200410103430.2、发明名称为“半导体集成电路器件的制造方法”的专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求2004年12月26日申请的日本专利申请No.2004-036966的优先权，其全部内容通过参考引入本申请。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路器件的制造方法，更具体涉及应用于半导体集成电路器件的制造时有效的技术，该方法包括在半导体晶片上的电路图形的形成基本上完成之后，从研磨半导体晶片背面的背面研磨步骤至将半导体芯片分别地切为各个芯片的切割步骤以及进一步在衬底上拾取和安装芯片的管芯键合步骤的工序。

背景技术

在背面研磨半导体晶片的制造步骤中，通过切割将半导体晶片分为单个芯片，以及在衬底上安装各个芯片的管芯键合，半导体晶片被传输，以及在被键合至带的同时施加有预定的处理。

例如，日本未审专利公开号2003-152058(专利文献1)描述了一种晶片传送装置，包括照射UV-射线至保护带的第一UV-射线照射单元、用于放置晶片的放置单元、与环形支架集成的安装单元、从晶片的表面释放保护带的保护带释放单元，以及照射UV-射线至切割带的第二UV-射线照射单元。该装置可以将与保护带粘接的晶片连续地和自动地传送至切割带和环形支架，与待使用的保护带和切割带的种类无关，并释放保护带。

而且，为了有效地进行待应用于晶片背面的背面研磨处理和刻蚀处理，日本未审专利公开号2003-179023(专利文献2)描述了一种在电路形成面背面研磨与保护带粘结的晶片背面的研磨器装置、背侧刻蚀由研磨器装置研磨的背表面的背侧蚀刻装置和将水传送到切割带并从晶片释放保护带的传送装置的同轴(in-line)结构。

而且，日本未审专利公开号2003-133395(专利文献3)描述一种通过使用晶片固定夹具进行键合步骤、背面研磨步骤、带交换步骤、拾取步骤以及管芯键合步骤的技术，该固定夹具包括外支架和布置在外支架中的橡胶膜片，该橡胶膜片增加和减小通过供给空气至其中在晶片和橡胶膜片之间布置的带变形的内部使形状变形时的体积，以便当橡胶部件增加体积时被逐渐地从外侧的中心推进到晶片。

[专利文献1]日本未审专利公开号2003-152058。

[专利文献2]日本未审专利公开号2003-179023。

[专利文献3]日本未审专利公开号2003-133395。

发明内容

在背面研磨半导体晶片、通过切割将半导体晶片分别地分为各个芯片以及在衬底上安装各个芯片的管芯键合的制造步骤中存在各种技术主题。该步骤如下所述进行。

首先，在将压敏粘结带粘附到半导体晶片的电路形成面之后，在研磨器装置上安装半导体晶片，且通过驱动旋转研磨部件研磨半导体晶片的背表面，由此使半导体晶片的厚度减小至预定的厚度(背后研磨步骤)。接着，将半导体晶片的背表面粘附到切割带，切割带固定到环状支架，以及从半导体晶片的电路形成面释放压敏粘结带(晶片安装步骤)。

然后，沿预定的划片线切割半导体晶片，并将半导体晶片分别分为各个芯片(切割步骤)。借助于切割带由推(push-up)针(pin)在其背表面推动各个互不相同的芯片，由此芯片被释放出切割带。对应于推针在上面安置夹头并通过夹头吸附并保持释放的芯片(拾取步骤)。然后，将夹头上保持的芯片传输到衬底并键合到衬底上的预定位置(管芯键合步骤)。

顺便提及，与尺寸下降和厚度减小的电子设备一样，也需要减小在其上安装的芯片厚度。而且，已研制了层叠多个芯片并将它们安装在一个封装上的层叠型半导体集成电路器件，以及对于减小芯片厚度的需求越来越增加。由此，在背面研磨步骤中，进行研磨，以将半导体晶片的厚度从现有的200μm左右减小至小于100μm。顺便提及，当半导体晶片的厚度减小至小于100μm时，在半导体晶片中引起的翘曲不利于后续步骤中半导体晶片的处理或输送，有时使半导体晶片断裂。

鉴于上述情况，已研究了在背面研磨步骤中将半导体晶片的厚度减小至小于100μm的方法，然后在研磨器装置的卡盘工作台上安装晶片的状态下通过晶片输送夹具真空吸附半导体晶片的背表面并按照原样将其传输至晶片安装装置。半导体晶片可以被无翘曲地传输至晶片安装装置并使其背表面粘附到切割带。