[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

基板；

设置在基板上的薄膜晶体管；

栅极信号线；

与栅极信号线连接的栅电极；

隔着绝缘膜跨栅电极而形成的、通过照射激光而被多晶硅化的半导体层；

漏极信号线；

与漏极信号线连接而形成在半导体层上的漏电极；以及

与漏电极相对而形成在半导体层上的源电极，

平面观察时，

漏电极的与源电极相对的边不与栅电极重叠，

源电极的与漏电极相对的边不与栅电极重叠。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

平面观察时，漏电极的与源电极相对的边与栅电极之间的距离在0至5μm的范围内，源电极的与漏电极相对的边与栅电极之间的距离在0至5μm的范围内。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

平面观察时，漏电极的与源电极相对的边与栅电极之间的距离在2μm至5μm的范围内，源电极的与漏电极相对的边与栅电极之间的距离在2μm至5μm的范围内。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

半导体层由多晶硅构成。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

在基板上形成有配置了多个像素的显示区域和包围显示区域的周边区域，

薄膜晶体管分别形成在多个像素中。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

在基板上形成有配置了多个像素的显示区域和包围显示区域的周边区域，薄膜晶体管形成在周边区域上。

7.一种显示装置，其特征在于，包括：

薄膜晶体管；

漏极信号线；

与漏极信号线连接的漏电极；

与漏电极相对的源电极；

重叠而形成在漏电极和源电极之下的、通过照射激光而被多晶硅化的半导体层；以及

隔着绝缘膜而形成在半导体层之下的栅电极，

平面观察时，

漏电极的与源电极相对的边不与栅电极重叠而形成，

源电极的与漏电极相对的边不与栅电极重叠而形成。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：

平面观察时，漏电极的与源电极相对的边与栅电极之间的距离在0至5μm的范围内，源电极的与漏电极相对的边与栅电极之间的距离在0至5μm的范围内。

9.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：

平面观察时，漏电极的与源电极相对的边与栅电极之间的距离在2μm至5μm的范围内，源电极的与漏电极相对的边与栅电极之间的距离在2μm至5μm的范围内。

10.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：

上述半导体层由多晶硅构成。

11.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：

在基板上形成有配置了多个像素的显示区域和包围显示区域的周边区域，

薄膜晶体管分别形成在多个像素中。

12.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：

在基板上形成有配置了多个像素的显示区域和包围显示区域的周边区域，薄膜晶体管形成在周边区域上。