[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

包括：

形成于利用薄板的单层构造而制成的基板的第1主面、且构成半导体元件的第1电路图案；

形成于所述基板的与所述第1主面相反侧的第2主面的第2电路图案；

形成于所述第1电路图案和所述第2电路图案之间且穿通所述基板以将它们连接的穿通孔；

形成于所述第1电路图案上的连接外部用的焊锡电极；以及

安装于所述第2电路图案上的芯片型被动零件，

所述半导体装置对所述第2主面进行整体的树脂密封以覆盖所述芯片型被动零件。

2.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于，

所述基板是硅晶片或者GaAs(砷化镓)晶片。

3.如权利要求2中所述的半导体装置，其特征在于，

利用Sn-Pb类或者Sn类的焊锡材料、或者加入有Ag或者Cu类的金属粉后的导电性粘接剂，将所述芯片型被动零件连接到所述第2电路图案上。

4.一种半导体装置，其特征在于，

包括：

形成于利用薄板的单层构造而制成的基板的第1主面、且构成半导体元件的第1电路图案；

形成于所述基板的与所述第1主面相反侧的第2主面的第2电路图案；

形成于所述第1电路图案和所述第2电路图案之间且穿通所述基板以将它们连接的穿通孔；

形成于所述第1电路图案上的连接外部用的焊锡电极；以及

安装于所述第2电路图案上的芯片型被动零件，

对所述第1主面进行整体的树脂密封以使得所述焊锡电极的一部分向外部露出，同时对所述第2主面进行整体的树脂密封以覆盖所述芯片型被动零件。

5.如权利要求4中所述的半导体装置，其特征在于，

所述基板是硅晶片或者GaAs(砷化镓)晶片。

6.如权利要求5中所述的半导体装置，其特征在于，

利用Sn-Pb类或者Sn类的焊锡材料、或者加入有Ag或者Cu类的金属粉后的导电性粘接剂，将所述芯片型被动零件连接到所述第2电路图案上。

7.一种半导体装置，其特征在于，

包括：

形成于利用薄板的单层构造而制成的基板的第1主面、且构成半导体元件的第1电路图案；

形成于所述基板的与所述第1主面相反侧的第2主面的第2电路图案；

形成于所述第1电路图案和所述第2电路图案之间且穿通所述基板以将它们连接的穿通孔；

形成于所述第1电路图案上的连接外部用的焊锡电极；

安装于所述第2电路图案上的芯片型被动零件；以及

安装于所述第2电路图案上的金属隔片，

对所述第2主面进行整体的树脂密封以覆盖所述芯片型被动零件，同时仅使所述金属隔片的表面向外部露出，而且在对所述第2主面进行树脂密封的表面上形成金属薄膜。

8.如权利要求7中所述的半导体装置，其特征在于，

所述基板是硅晶片或者GaAs(砷化镓)晶片。

9.如权利要求8中所述的半导体装置，其特征在于，

利用Sn-Pb类或者Sn类的焊锡材料、或者加入有Ag或者Cu类的金属粉后的导电性粘接剂，将所述芯片型被动零件连接到所述第2电路图案上。

10.如权利要求7中所述的半导体装置，其特征在于，

使用铜块作为所述金属隔片，通过铜块将由所述基板产生的热量从形成于树脂密封面上的金属薄膜进行散热。

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

包括：

在由晶片构成的基板的第1主面上形成构成半导体元件的第1电路图案的工序；

在所述基板的第2主面上形成第2电路图案的工序；

在所述第1电路图案和所述第2电路图案之间形成穿通孔的工序；

在所述第1电路图案上形成外部连接用的焊锡电极的工序；

在所述第2电路图案上安装芯片型被动零件的工序；以及

对所述第2主面进行整体的树脂密封以覆盖所述芯片型被动零件的工序。