[发明专利]形成导体结构的方法及其应用

权利要求书

1.一种在包括含纳米微粒层的衬底上形成导电或半导电的路径的方法，所述 层中的纳米微粒包括导电或半导电材料，所述方法包括：在含纳米微粒的层上施加 电压以局部地增加层的导电率，所述电压足够高以通过类似穿透的方式熔解纳米微 粒，其特征在于，所述电压从点状电极侧向地施加于含纳米微粒的层以在衬底上形 成线状构造。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔解以类似雪崩的方式从一 个电压电极向另一个电压电极传播。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述熔解之后是导电材料或 半导电材料的重结晶。

4.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其特征在于，使用向其端部削锥 的电极。

5.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其特征在于，使用包覆的纳米微 粒，所述纳米微粒的包覆层较佳为聚合体。

6.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其特征在于，使用一种电压和含 纳米微粒的层，从而通过减小导线状构造位置上的含纳米微粒层的体积而在所述导 线状构造和周围材料之间形成充分的间隙。

7.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其特征在于，施加纳米微粒的步 骤包括印刷纳米微粒，较佳地使其作为纳米微粒聚合体复合物印剂。

8.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其特征在于，形成具有大纵横比 的导线构造，所述纵横比较佳为至少30。

9.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其特征在于，根据电压电极的面 积，使用足够高的电压以使纳米微粒基本完全熔化，尤其使用0.01-50V/μm的每 电极间隙长度的电压，尤其是1-50V/μm。

10.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其特征在于，使用具有至少100 μm间距的电压电极。

11.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其特征在于，形成宽度小于100 μm、较佳地小于10μm、甚至小于1μm的导线。

12.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其特征在于，电压是通过永久 沉积在衬底上的导电电极而施加的，所述电极例如通过将金属纳米微粒涂覆在衬底 上并热烧结或电烧结金属纳米微粒以形成导电电极而沉积在衬底上。

13.如前述权利要求中任何一项所述的方法，其特征在于，所述电压是通过 在所述衬底的表面上引出的分离电极施加的。

14.使用如前述权利要求中任何一项所述的方法来制造晶体管或传感器，例 如辐射热测量计。

15.一种电子单元，包括衬底和连接单元的两工作部分的导线，其特征在于， 通过将含导电纳米微粒的层部分转化成衬底表面上的细线路径而在沉积于衬底上 的点状电极之间形成所述导线，所述转化是通过将能够造成纳米微粒类似穿透的熔 解的电压施加于所述层而实现的。

16.如权利要求15所述的电子单元，其特征在于，所述电子单元是晶体管， 所述导线形成在晶体管诸端子之间。

17.如权利要求15所述的电子单元，其特征在于，所述电子单元是晶体管对， 所述晶体管的栅极由所述导线连接。

18.如权利要求15所述的电子单元，其特征在于，所述电子单元是辐射热测 量计，所述导线被形成在辐射热测量计的天线贴片之间。