[发明专利]一种TiC/DLC多层薄膜的沉积方法无效
| 申请号： | 200810110529.3 | 申请日： | 2008-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101597745A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 马占吉;赵栋才;武生虎;肖更竭;任妮 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/14;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 | 代理人： | 张利萍 |
| 地址： | 730000甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tic dlc 多层 薄膜 沉积 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种TiC/DLC多层薄膜的沉积方法，其特征在于包括下列步骤：
(1)打开磁过滤钛电弧源，在完成预处理的工件上沉积Ti层；
(2)同时打开磁过滤钛电弧源和脉冲石墨电弧源沉积TiC层；
(3)关闭磁过滤钛电弧源，采用脉冲石墨电弧源沉积DLC层；
(4)多次重复步骤(2)和步骤(3)的沉积过程。
2、根据权利要求1所述的一种TiC/DLC多层薄膜的沉积方法，其特征在于：所述步骤(1)中完成预处理是指镀膜设备的真空度为优于5×10-3Pa，并完成离子束清洗处理；磁过滤钛电弧源的工作电流为50A～90A；沉积时间为2min～10min。
3、根据权利要求1所述的一种TiC/DLC多层薄膜的沉积方法，其特征在于：所述步骤(2)中磁过滤电弧源的工作电流保持不变；打开脉冲石墨电弧源，调节放电频率为2Hz～32Hz，工作脉冲次数为2000～10000。
4、根据权利要求1所述的一种TiC/DLC多层薄膜的沉积方法，其特征在于：所述步骤(3)中保持脉冲石墨电弧源的放电频率不变，工作脉冲次数为10000～20000。
5、根据权利要求1所述的一种TiC/DLC多层薄膜的沉积方法，其特征在于：所述步骤(4)中重复步骤(2)和步骤(3)的沉积过程次数为20～50。
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