[发明专利]出光均匀的发光二极管结构及其制造方法无效
申请号: | 200810110580.4 | 申请日: | 2008-06-04 |
公开(公告)号: | CN101599519A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 邱维铭;钱玉树;陈佳珍;刘忠祺 | 申请(专利权)人: | 国立勤益科技大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿 宁;张华辉 |
地址: | 台湾省台中县太*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 均匀 发光二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种出光均匀的发光二极管结构,其特征在于,包括:
一反射杯;
一发光二极管设于该反射杯的底部;及
一荧光基板设于该发光二极管的上方,并设于该反射杯的顶部;
其中该荧光基板厚度的误差小于1%。
2.根据权利要求1所述的出光均匀的发光二极管结构,其特征在于,其中该荧光基板包括一基板及一荧光粉层,该荧光粉层设于该基板的下表面。
3.根据权利要求2所述的出光均匀的发光二极管结构,其特征在于,更包括一增亮膜设于该基板的上表面。
4.根据权利要求2所述的出光均匀的发光二极管结构,其特征在于,其中该基板及该荧光粉层的厚度的误差分别小于1%。
5.根据权利要求2所述的出光均匀的发光二极管结构,其特征在于,其中该荧光粉层中更包括复数个光扩散粉。
6.根据权利要求1所述的出光均匀的发光二极管结构,其特征在于,其中该荧光基板为一荧光片。
7.根据权利要求6所述的出光均匀的发光二极管结构,其特征在于,其中该荧光片中更包括复数个光扩散粉。
8.一种出光均匀的发光二极管结构,其特征在于,包括:
一反射杯;
一发光二极管设于该反射杯的底部;及
一荧光膜覆于该发光二极管上。
其中该荧光基板厚度的误差小于1%。
9.根据权利要求8所述的出光均匀的发光二极管结构,其特征在于,其中该荧光膜中更包括复数个光扩散粉。
10.根据权利要求8所述的出光均匀的发光二极管结构,其特征在于,其中该荧光膜厚度的误差小于1%。
11.根据权利要求8所述的出光均匀的发光二极管结构,其特征在于,其中该荧光膜贴覆于该发光二极管上。
12.一种出光均匀的发光二极管结构的制造方法,其特征在于,其步骤包括:
将一发光二极管设于一反射杯的底部;及
将一荧光基板设于该发光二极管的上方,并设于该反射杯的顶部。
13.根据权利要求12所述的出光均匀的发光二极管结构的制造方法,其特征在于,更包括将复数个荧光粉及扩散粉混合后分布于一基板的下表面,形成该荧光基板的一步骤。
14.根据权利要求13所述的出光均匀的发光二极管结构的制造方法,其特征在于,其中将该复数个荧光粉及扩散粉混合后分布于该基板的该下表面的该步骤中的该分布方式包括旋转涂布、含浸涂布、刮刀涂布、溅镀镀膜、蒸镀镀膜或离子镀膜。
15.根据权利要求13所述的出光均匀的发光二极管结构的制造方法,其特征在于,将该复数个荧光粉及扩散粉混合后分布于该基板的该下表面,形成该荧光基板的该步骤后更包括将一增亮膜设于该基板的上表面的一步骤。
16.根据权利要求12所述的出光均匀之发光二极管结构的制造方法,其特征在于,其中该荧光基板为一荧光片。
17.根据权利要求16所述的出光均匀的发光二极管结构的制造方法,其特征在于,其中更包括将复数个荧光粉及扩散粉混合后压制成该荧光片的一步骤。
18.一种出光均匀的发光二极管结构的制造方法,其特征在于,其步骤包括:
将一发光二极管设于该反射杯的底部;及
将一荧光膜覆于该发光二极管上。
19.根据权利要求18所述的出光均匀的发光二极管结构的制造方法,其特征在于,更包括将复数个荧光粉及扩散粉混合后压制成该荧光膜的一步骤。
20.根据权利要求19所述的出光均匀的发光二极管结构的制造方法,其特征在于,其中将该荧光膜覆于该发光二极管上的该步骤为将该荧光膜贴覆于该发光二极管上的一步骤。
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