[发明专利]暖白光发光二极管及其荧光粉

权利要求书

1.一种暖白光发光二极管，其系以铟镓氮化物异质结为基体，其组成中含有大量的量子阱，其具有一聚合发光转换层，其特征在于：该聚合发光转换层系以浓度均匀的形态存在，该铟镓氮化物异质结的发光表面及边缘覆盖有一热固性聚合物层，且该聚合发光转换层含有大量荧光粉颗粒，这些颗粒以至少二层的粒子层的形式存在于该聚合发光转换层中，以确保部分透射能达到该铟镓氮化物异质结第一级蓝光辐射的第一特定百分比，第二级橙黄色辐射的第二特定百分比，该第一特定百分比为20％，该第二特定百分比为70～80％，其中所述荧光粉为一无机荧光粉，以源于至少一种Ce³⁺，Pr³⁺激活剂的石榴石型立方晶格为基体，该荧光粉系以钇～钆石榴石为基础，其组成中添加了B³⁺，F^-和N^3-离子，化学计量公式为：

(Gd_1-x-y-zY_xCe_yDy_z)₃Al_5-pB_pO_12-q(F，N)_q，其中，x＝0.03～0.5，y＝0.001～0.1，z＝0.001～0.005，p＝0.01～0.5，q＝0.001～0.10。

2.如权利要求1所述的暖白光发光二极管，其中该热固性聚合物层的分子质量为M＞20000碳单位。

3.如权利要求1所述的暖白光发光二极管，其中该荧光粉颗粒的质量比为5～60％。

4.如权利要求1所述的暖白光发光二极管，其中该荧光粉颗粒系以二或三层的粒子层的形式存在于该聚合发光转换层中。

5.如权利要求1所述的暖白光发光二极管，其所产生的整体暖白光的色温为T＝2800～3800K，效能高于48lm/w。

6.如权利要求1所述的暖白光发光二极管，其中该Gd和Y的原子比值位于20∶1～15∶1范围内。

7.如权利要求1所述的暖白光发光二极管，其中该无机荧光粉的氧离子在阴离子亚晶格上的替换分率是氧原子分率的0.001≤q≤0.10。

8.如权利要求1所述的暖白光发光二极管，其中该无机荧光粉的峰值波长为λ＝571～582nm，色温为T＝2800～3800K，谱线带宽为λ_0.5＝125～132nm。

9.如权利要求1所述的暖白光发光二极管，其中该无机荧光粉是用氧化物成分固相合成制成的，在卤化物和主要是BaF₂，AlF₃，SrF₂族的氟化物矿化剂中，温度T＝1400～1600℃的条件下，氧化物成分在还原空气里10～24小时内进行固相合成。

10.如权利要求1所述的暖白光发光二极管，其中该无机荧光粉的平均直径为d_cp≤3微米，中位线直径为d₅₀≤2.20微米，d₉₀≤8微米。

11.一种荧光粉，其用于暖白光发光二极管中，其系以源于至少一种Ce³⁺，Pr³⁺激活剂的石榴石型立方晶格为基体，该荧光粉系以钇～钆石榴石为基础，其组成中添加了B³⁺，F^-和N^3-离子，化学计量公式为：(Gd_1-x-y-zY_xCe_yDy_z)₃Al_5-pB_pO_12-q(F，N)_q，其中该化学计量指数为x＝0.03～0.5，y＝0.001～0.1，z＝0.001～0.005，p＝0.01～0.5，q＝0.001～0.10。

12.如权利要求11所述的荧光粉，其中该荧光粉为一无机荧光粉。

13.如权利要求11所述的荧光粉，其中该Gd和Y的原子比值位于20∶1～15∶1范围内。

14.如权利要求11所述的荧光粉，其氧离子在阴离子亚晶格上的替换分率是氧原子分率的0.001≤q≤0.10。