[发明专利]用于白光二极管与无机荧光粉的复合材料无效

专利信息
申请号: 200810110690.0 申请日: 2008-06-16
公开(公告)号: CN101289617A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 索辛纳姆;罗维鸿;蔡绮睿 申请(专利权)人: 罗维鸿
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88;C09K11/02;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200231上海市徐*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 白光 二极管 无机 荧光粉 复合材料
【权利要求书】:

1.一种复合材料,其系用于白光二极管与无机荧光 粉中,其至少包括两种无机物质,第一种是荧光粉,第二种是光 散射体,以及一种聚合粘合剂,该复合材料作为一发光转换层并 与源于一InGaN异质结所辐射的短波光相互作用,其特征在于: 光散射体为AIIBVI量子点化合物的形式的纳米尺寸粉末材料,其中 A=Zn或Cd;B=O,S,Se或Te,并与(Y2-x-y-zGdxCeyDyzO3)1.5±α(Al2O3)2.5±β基质无机荧光粉形成复合材料,其中0.01<x≤0.4,0.001<y≤ 0.1,0.00001≤z≤0.01,0.01≤α<0.1,0.01≤β<0.1。

2.如权利要求1所述的复合材料,其中该复合材料与 标准荧光粉材料相比,当必要辐射光谱最大值波长λ =542~544.4nm,辐射色坐标为0.32≤X≤0.36,0.32≤Y≤0.38,主 辐射波长为λ≥548nm时,再辐射超过30~70%。

3.如权利要求1所述的复合材料,其进一步加入第二种 以源于AIIBVI化合物的量子点的形式存在的组分,该组分主要源于 (CdS)1-p(CdSe)p系列,其中0.01≤p≤0.8,辐射光谱最大值半波宽 增长至λ0.5=130~132nm,同时辐射位移向λmax=542~544nm长波光谱 部分转移。

4.如权利要求1所述的复合材料,其激发光谱向短波区 域位移时,包括λ=395~405nm的紫外线部分,当短波辐射激发时 余辉持续时间从τe=64ns缩短至更小值。

5.如权利要求1所述的复合材料,其进一步包含无机 荧光粉AIIBVI量子点组分,当该聚合粘合剂的含量为66%~90%时, 质量比例为8~25%及2~8%。

6.如权利要求1所述的复合材料,其所包含组分的折射 率比例关系为ηph∶ηqd∶ηp=1.85∶2.0∶1.55~1.90∶2.4∶1.56。

7.如权利要求1所述的复合材料,其中该聚合粘合剂系  使用M=20000碳单位的有机硅聚合物或M=5000碳单位的环氧树 脂,当加热至80~100℃具有硬化性质。

8.如权利要求1所述的复合材料,其可与该InGaN异质 结的主要辐射表面和侧面接触,同时形成100~180μm浓度均匀的 形态。

9.如权利要求1所述的复合材料,其中该两种无机物质 对于该无机荧光粉比面为6~12×103cm2/cm3,对于量子点比面为 200~300×103cm2/cm3,在此情况下,该无机荧光粉为具有自然棱角 的石榴石粉末,量子点具有的几何直径以及锐角形 态。

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