[发明专利]横向DMOS装置结构及其制造方法

权利要求书

1.一种横向DMOS装置的制造方法，其中，所述横向DMOS装置具有晶体管区和肖特基二极管区，所述方法包括以下步骤：

在第一导电型半导体衬底上形成第二导电型阱；以及

在所述肖特基二极管区中形成与所述第二导电型阱接触的肖特基接触；

在所述第二导电型阱中形成漏区；

在所述晶体管区的所述第二导电型阱中形成第一导电型体区；

在所述第一导电型体区中形成第一导电型杂质区并且在所述肖特基二极管区的所述第二导电型阱中形成第一导电型保护环；

在所述第一导电型杂质区的附近形成源区；

在所述晶体管区和所述肖特基二极管区中形成场氧化层；以及

在所述晶体管区和所述肖特基二极管区中形成栅极绝缘层和栅电极；

其中，所述肖特基接触形成在所述栅电极、所述漏区和所述源区上。

2.根据权利要求1所述的横向DMOS装置的制造方法，其中，形成在所述肖特基二极管区中的所述肖特基二极管的击穿电压是通过调整所述第一导电型保护环的宽度来进行调节的。

3.根据权利要求1所述的横向DMOS装置的制造方法，其中，所述第一导电型体区是通过离子注入硼(B)、铟(In)和镓(Ga)中的任一种形成的。

4.根据权利要求2所述的横向DMOS装置的制造方法，其中，所述第一导电型体区是通过在1E13至4E14个离子/cm²和40至100Kev的条件下实施离子注入工艺形成的。

5.根据权利要求1所述的横向DMOS装置的制造方法，其中，所述源区是通过离子注入砷(As)形成的。

6.根据权利要求2所述的横向DMOS装置的制造方法，其中，所述源区是通过在5E14至1E16个离子/cm²的浓度和40至100Kev的能量的条件下的离子注入工艺形成的。

7.一种横向DMOS装置，其中，所述横向DMOS装置具有晶体管区和肖特基二极管区，所述横向DMOS装置包括：

在第一导电型半导体衬底上形成的第二导电型阱；以及

在所述肖特基二极管区中形成为与所述第二导电型阱接触的肖特基接触；

形成在所述第二导电型阱中的漏区；

形成在所述晶体管区的所述第二导电型阱中的第一导电型体区；

形成在所述第一导电型体区中的第一导电型杂质区和形成在所述肖特基二极管区的所述第二导电型阱中的第一导电型保护环；

形成在所述第一导电型杂质区的附近的源区；

形成在所述晶体管区和所述肖特基二极管区中的场氧化层；

形成在所述晶体管区和所述肖特基二极管区中的栅极绝缘层和栅电极；以及

形成在所述栅电极、所述漏区和所述源区上的金属接触；

其中，所述肖特基接触包括所述金属接触。

8.根据权利要求7所述的横向DMOS装置，其中，形成在所述肖特基二极管区中的所述栅极绝缘层和所述栅电极比形成在所述晶体管区中的所述栅极绝缘层和所述栅电极在宽度上更短以便不与所述第一导电型保护环接触。

9.根据权利要求7所述的横向DMOS装置，其中，形成在所述肖特基二极管区中的所述肖特基二极管的击穿电压是通过调整所述第一导电型保护环的宽度进行调节的。

10.根据权利要求7所述的横向DMOS装置，其中，所述第一导电型体区是通过离子注入硼(B)、铟(In)和镓(Ga)中的任一种形成的。

11.根据权利要求7所述的横向DMOS装置，其中，所述第一导电型体区是通过在1E13至4E14个离子/cm²和40至100Kev的条件下实施离子注入工艺形成的。