[发明专利]形成发光元件用的电极结构的方法和形成层压结构的方法

权利要求书

1.一种用于形成发光元件中的电极结构的方法，所述方法包括以下步骤：

(A)在化合物半导体层上形成屏蔽材料层，所述屏蔽材料层包括具有平均顶部直径R_T和平均底部直径R_B的开口，其中，R_B＞R_T；

(B)通过减小将被沉积的材料的粒子密度以使用于碰撞的平均自由程长的物理汽相沉积方法，在所述屏蔽材料层上以及在所述化合物半导体层中通过所述开口的所述底部露出的部分上沉积由导电材料构成的第一材料层，并且所述物理汽相沉积方法在沉积气氛中的1×10^-3Pa的压力下，使构成待通过所述物理汽相沉积方法沉积的第一材料层的材料具有1×10m以上的第一平均自由程；

(C)通过除所述物理汽相沉积方法之外的汽相沉积方法，在所述屏蔽材料层上的所述第一材料层上、在所述开口的所述底部上沉积的所述第一材料层上、和在所述化合物半导体层中通过所述开口的所述底部露出的部分上沉积第二材料层，并且所述汽相沉积法在沉积气氛中的1×10^-3Pa的压力下，使构成待通过汽相沉积方法沉积的第二材料层的材料具有小于1×10m的第二平均自由程；以及

(D)去除所述屏蔽材料层和在所述屏蔽材料层上沉积的所述第一和第二材料层，从而形成由所述第一材料层和所述第二材料层构成的所述电极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一平均自由程为1×10²m以上，所述第二平均自由程为1×10^-1m以下。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一平均自由程为1×10³m以上，所述第二平均自由程为1×10^-2m以下。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(B)中的所述物理汽相沉积方法为真空蒸发方法，而所述步骤(C)中的所述汽相沉积方法为溅射方法或化学汽相沉积方法。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述屏蔽材料层由光致抗蚀材料或无机材料构成。

6.一种用于形成层压结构的方法，所述方法包括以下步骤：

(A)在基体上形成屏蔽材料层，所述屏蔽材料层包括具有平均顶部直径R_T和平均底部直径R_B的开口，其中，R_B＞R_T；

(B)通过减小将被沉积的材料的粒子密度以使用于碰撞的平均自由程长的物理汽相沉积方法，在所述屏蔽材料层上以及在所述基体中通过所述开口的所述底部露出的部分上沉积第一材料层，并且所述物理汽相沉积方法在沉积气氛中的1×10^-3Pa的压力下，使构成待通过所述物理汽相沉积方法沉积的第一材料层的材料具有1×10m以上的第一平均自由程；

(C)通过除所述物理汽相沉积方法之外的汽相沉积方法，在所述屏蔽材料层上的所述第一材料层上、在所述开口的所述底部上沉积的所述第一材料层上、和在所述基体中通过所述开口的所述底部露出的部分上沉积第二材料层，并且所述汽相沉积法在沉积气氛中的1×10^-3Pa的压力下，使构成待通过汽相沉积方法沉积的第二材料层的材料具有小于1×10m的第二平均自由程；以及

(D)去除所述屏蔽材料层和在所述屏蔽材料层上沉积的所述第一和第二材料层，从而形成由所述第一材料层和所述第二材料层构成的所述层压结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一平均自由程为1×10²m以上，所述第二平均自由程为1×10^-1m以下。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一平均自由程为1×10³m以上，所述第二平均自由程为1×10^-2m以下。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述步骤(B)中的所述物理汽相沉积方法为真空蒸发方法，而所述步骤(C)中的所述汽相沉积方法为溅射方法或化学汽相沉积方法。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述屏蔽材料层由光致抗蚀材料或无机材料构成。