[发明专利]用于信息记录和再现的装置和方法,及光学信息记录介质无效
申请号: | 200810111484.1 | 申请日: | 2008-06-26 |
公开(公告)号: | CN101335021A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 田部典宏 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | G11B7/0065 | 分类号: | G11B7/0065;G11B7/135;G11B7/24 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 董方源 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 信息 记录 再现 装置 方法 光学 介质 | ||
1.一种用于在具有记录材料的多层光学信息记录介质上记录信息的信 息记录装置,所述记录材料具有光反应特性和/或热化学反应特性,并由于 被照射的光和/或由所述光产生的热而改变性质,所述多层光学信息记录介 质包括以多个层的形式交替存在的已变质层和未变质层,在所述已变质层 中所述记录材料已经变质,在所述未变质层中所述记录材料尚未变质;所 述信息记录装置包括:
光源,用于发射具有预定波长的记录光;
聚焦位置控制单元,用于将从所述光源发射的记录光的聚焦位置控制 在所述未变质层或所述已变质层所在的位置;
物镜,设置在所述聚焦位置控制单元的后级,用于收集所述记录光; 其中,
通过由所述记录光产生的热使所述聚焦位置处的所述记录材料发生变 质,从而以记录标记的形式在所述光学信息记录介质上记录信息,
其中,所述记录光的聚焦深度大于或等于所述已变质层或所述未变质 层的厚度。
2.根据权利要求1所述的信息记录装置,其中,所述记录光的波长对 于所述已变质层而言具有高吸收率。
3.根据权利要求1所述的信息记录装置,其中,所述记录光的波长对 于所述未变质层而言具有高吸收率。
4.根据权利要求1所述的信息记录装置,其中,所述记录光的波长对 于所述已变质层的吸收率与对于所述未变质层的吸收率具有大的差异。
5.根据权利要求1所述的信息记录装置,其中,
所述聚焦位置控制单元由一个或多个光学元件构成;并且
所记录光的聚焦位置通过改变所述一个或多个光学元件的位置而被控 制。
6.根据权利要求5所述的信息记录装置,其中,所述聚焦位置控制单 元由中继透镜或准直器透镜构成。
7.根据权利要求1所述的信息记录装置,其中,与不记录所述记录标 记的层相比,要记录所述记录标记的层在所述记录光的波长下具有大的光 学吸收率。
8.根据权利要求1所述的信息记录装置,其中,与不记录所述记录标 记的层相比,要记录所述记录标记的层具有大的导热常数。
9.根据权利要求1所述的信息记录装置,其中,与不记录所述记录标 记的层的玻璃转化温度相比,要记录所述记录标记的层的玻璃转化温度更 低。
10.根据权利要求1所述的信息记录装置,其中,
所述光学信息记录介质由两个初始化光束进行初始化;
所述两个初始化光束中的一者从所述光学信息记录介质一侧的表面进 入所述光学信息记录介质;并且
所述两个初始化光束中的另一者从所述光学信息记录介质的另一侧的 表面进入所述光学信息记录介质。
11.根据权利要求10所述的信息记录装置,其中,所述两个初始化光 束相对于所述光学信息记录介质表面的入射角的大小相等。
12.根据权利要求11所述的信息记录装置,其中,使用波长为λ[nm] 的初始化光束执行初始化过程,使所述已变质层和所述未变质层各自的厚 度均成为ΔD[nm];并且
所述两个初始化光束的入射角θ的值由等式1得出:
13.根据权利要求1所述的信息记录装置,其中,所述光学信息记录 介质由对于所述记录材料具有光敏感性的波长的初始化光束进行初始化。
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