[发明专利]通过植入N－及P－型簇离子及负离子制造CMOS器件的方法

权利要求书

1.一种将掺杂剂材料植入一衬底内的方法，该方法包括如下步骤：

产生As_nH_x⁺形式的N-型簇离子，其中n和x为整数，且n＝2、3或4，x处于 0≤x≤n+2的范围内；

自一第二分子物质产生P-型簇离子；

将所述N-型簇离子植入一衬底上的一第一区域内；及

将所述P-型簇离子植入所述衬底上的一第二区域内。

2.如权利要求1所述的方法，其中自一第一分子物质产生As_nH_x⁺形式的 N-型簇离子的步骤包括：自砷化氢(AsH₃)气体产生所述N-型簇离子。

3.如权利要求1所述的方法，其中自一第一分子物质产生As_nH_x⁺形式的 N-型簇离子的步骤包括：自元素砷的蒸气As产生所述N-型簇离子。

4.如权利要求2所述的方法，其中自一第一分子物质产生As_nH_x⁺形式的 N-型簇离子的步骤包括：产生As₄⁺簇离子。

5.如权利要求3所述的方法，其中自一第一分子物质产生As_nH_x⁺形式的 N-型簇离子的步骤包括：产生As₄⁺簇离子。

6.如权利要求2所述的方法，其中自一第一分子物质产生As_nH_x⁺形式的 N-型簇离子的步骤包括：产生As₃⁺簇离子。

7.如权利要求3所述的方法，其中自一第一分子物质产生As_nH_x⁺形式的 N-型簇离子的步骤包括：产生As₃⁺簇离子。

8.如权利要求2所述的方法，其中自一第一分子物质产生As_nH_x⁺形式的 N-型簇离子的步骤包括：产生As₂⁺簇离子。

9.如权利要求3所述的方法，其中自一第一分子物质产生As_nH_x⁺形式的 N-型簇离子的步骤包括：产生As₂⁺簇离子。

10.如权利要求2所述的方法，其中自一第一分子物质产生As_nH_x⁺形式的 N-型簇离子的步骤包括：产生As₄H_x⁺簇离子，其中x为一整数且1≤x≤6。

11.如权利要求2所述的方法，其中自一第一分子物质产生As_nH_x⁺形式的 N-型簇离子的步骤包括：产生As₃H_x⁺簇离子，其中x为一整数且1≤x≤5。

12.如权利要求2所述的方法，其中自一第一分子物质产生As_nH_x⁺形式的 N-型簇离子的步骤包括：产生As₂H_x⁺簇离子，其中x为一整数且1≤x≤4。

13.如权利要求1所述的方法，其中自一第二分子物质产生P-型簇离子的 步骤包括：自十硼烷(B₁₀H₁₄)气体产生所述簇离子。