[发明专利]用于CVD腔室清洗的远程诱导耦接的等离子体源无效
申请号: | 200810111506.4 | 申请日: | 2008-06-02 |
公开(公告)号: | CN101338413A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
发明(设计)人: | 卡尔A·索伦森;乔瑟夫·库德拉 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23F4/00;H01L21/3065;H05H1/46 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 cvd 清洗 远程 诱导 等离子体 | ||
1、一种远程等离子体源,包含:
外壳;
与所述外壳耦接的气体入口;
与所述外壳耦接的等离子体出口;
设置在所述外壳内的金属管道,该金属管道具有外侧表面和内侧表面;
与所述外侧表面耦接的射频输入;以及
与所述内侧表面耦接的第一冷却液入口。
2、根据权利要求1所述的远程等离子体源,其特征在于,所述外壳进一 步包含:
至少一个壁;以及
在所述壁内延伸的至少一个冷却通道。
3、根据权利要求2所述的远程等离子体源,其特征在于,所述至少一个 壁是导电的。
4、根据权利要求2所述的远程等离子体源,其特征在于,所述至少一个 冷却通道与所述金属管道耦接。
5、根据权利要求1所述的远程等离子体源,其特征在于,进一步包含与 所述等离子体出口耦接的第一管道和与所述第一管道耦接的冷却液管道。
6、根据权利要求1所述的远程等离子体源,其特征在于,所述射频输入 在第一端和第二端处耦接到所述外侧表面。
7、根据权利要求1所述的远程等离子体源,其特征在于,所述外壳是导 电的。
8、一种等离子体产生方法,包含:
经过气体入口将气体流入腔室中;
在冷却管道内流动冷却液经过所述腔室;
沿着所述冷却管道的外侧表面流动射频电流;
在所述腔室内激发等离子体;以及
经过等离子体出口将所述等离子体流出所述腔室。
9、根据权利要求8所述的方法,其特征在于,进一步包含冷却排出所述 腔室的所述等离子体。
10、根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述腔室包含多个腔室壁, 并且进一步包含冷却所述腔室壁。
11、根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述气体在所述冷却管道 外部流动。
12、根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述流动射频电流包含在 是冷却管道的一端施加具有第一相位的射频电流以及在所述冷却管道的另一 端施加在第二相位的射频电流,其中第二相位与所述第一相位相差180度。
13、根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述腔室包含导电外壳并 且其中所述冷却管道设置在所述导电外壳内。
14、一种等离子体设备,包含:
处理腔室;
射频匹配网络;以及
与所述处理腔室和射频匹配网络耦接的远程等离子体源,所述远程等离子 体源包含:
外壳;以及
设置在所述外壳内的冷却管道,该冷却管道与冷却液入口和出口耦 接,其中所述射频匹配网络与所述冷却管道耦接。
15、根据权利要求14所述的设备,其特征在于,所述外壳包含至少一个 冷却壁。
16、根据权利要求15所述的设备,其特征在于,所述外壳是导电的。
17、根据权利要求14所述的设备,其特征在于,所述射频匹配网络在多 个位置与所述冷却管道耦接。
18、根据权利要求14所述的设备,其特征在于,进一步包含能将气体提 供到在所述冷却管道外部的所述外壳的气体入口。
19、根据权利要求14所述的设备,其特征在于,进一步包含与所述外壳 和处理腔室耦接的等离子体管道,用于将等离子体从所述远程等离子体源流到 所述腔室,其中所述的等离子体管道是冷却的。
20、根据权利要求14所述的设备,其特征在于,所述外壳是导电的。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的