[发明专利]氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1、一种氮化镓基发光二极管芯片，从下往上依次包括蓝宝石衬底、N型氮化镓、有源区、P型氮化镓、透明导电层，形成在透明导电层上的P电极，及形成在N型氮化镓外露的表面上的N电极，其特征在于，所述P型氮化镓的边缘区域未被透明导电层覆盖，该未被透明导电层覆盖的边缘区域为切割道。

2、根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于，所述P电极形成在所述透明导电层的边缘。

3、根据权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于，所述N电极形成在所述露出的N型氮化镓的中心区域。

4、根据权利要求3所述的氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于，所述N电极的每一侧边与其相邻的N型氮化镓的侧边之间的距离为8～30μm。

5、一种氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，该方法依次包括以下步骤：

a)提供氮化镓基发光二极管外延片，所述外延片的结构从下往上依次为：蓝宝石衬底、N型氮化镓、有源区、及P型氮化镓，在所述外延片的P型氮化镓的表面定位出需蚀刻的区域，并且也规划出多个一体未分离的预制作芯片的晶粒；

b)从每个晶粒的P型氮化镓表面往下蚀刻步骤a)中所述的需蚀刻的区域，直至露出N型氮化镓；

c)在每个晶粒未被蚀刻的P型氮化镓的表面制作透明导电层，所述透明导电层的表面积比P型氮化镓的表面积小，以露出P型氮化镓的边缘区域作为切割道；

d)在每个晶粒的所述透明导电层上制作P电极，并在每个晶粒的所述露出的N型氮化镓上制作N电极，以形成发光二极管芯片；

e)以未分离的芯片间的P型氮化镓的边缘区域为切割道将外延片切割成多个芯片，每个芯片包含有一对P电极和N电极。

6、根据权利要求5所述的氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，在步骤a)之前，对所述氮化镓基发光二极管外延片进行表面处理。

7、根据权利要求5所述的氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，步骤a)中，定位出需蚀刻的区域的具体操作为：在P型氮化镓的表面生长保护掩膜层，在所述保护掩膜层的表面涂布光刻胶，接着对所述光刻胶进行曝光，然后显影去除被曝光部分的光刻胶，从而露出其下方的保护掩膜，所述裸露的保护掩膜即为晶粒需蚀刻的区域，最后湿蚀刻去除每个晶粒上裸露的保护掩膜。

8、根据权利要求5所述的氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，步骤d)中，所述P电极形成在透明导电层的边缘。

9、根据权利要求5至8中任一项所述的氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，步骤d)中，所述N电极制作在所述露出的N型氮化镓的中心区域。

10、根据权利要求9所述的氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述N电极每一侧边与其相邻的N型氮化镓的侧边之间的距离为8～30μm。