[发明专利]一种对触摸屏进行检测的方法及装置有效

专利信息
申请号: 200810111921.X 申请日: 2008-05-19
公开(公告)号: CN101271375A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 谢律;由海 申请(专利权)人: 北京中星微电子有限公司
主分类号: G06F3/045 分类号: G06F3/045
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 代理人: 黄志华
地址: 100083北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 触摸屏 进行 检测 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种对触摸屏进行检测的方法及装置。

背景技术

触摸屏技术是未来人机交互的一种主要输入方式,会逐渐淘汰键盘和鼠标等输入工具,而多点触摸(Multitouch)技术又是这一领域更具有吸引力的一个亮点,但这一技术大多使用光学原理对触摸屏进行检测的技术,成本太高,是目前大多数用户所不能接受的。

传统的4线电阻式触摸屏包括X层和Y层两个导电层面板,其使用模式如图1所示,其中,R1和R3表示X导电层被分成的两部分的等效电阻,R4和R6表示Y导电层被分成的两部分的等效电阻。通过4次或3次的测量方式可以得到电阻R3、R6和Rz的值,其中,Rz表示由于触摸所产生的电阻值。

所述的4次测量方式如下:

测量一、Xp接正电压Vref+,Xn接负电压Vref-,Yp和Yn浮空,测量Yp的电压值V3,则可得R3=V3/4096*Rxplate,其中,Rxplate是X导电层的总电阻,4096表示12bit精度的模拟数字(AD)转换器的测量等级。如果精度是10bit,则可以区分1024个等级。

测量二、与测量一同理,接Yp正电压Vref+,Yn接负电压Vref-,Xp和Xn浮空,测量Xp的电压值V1,则可得R6=V1/4096*Ryplate,其中,Ryplate是Y导电层的总电阻。

测量三、Yp接Vref+,Xn接Vref-,Xp和Yn浮空,测量Xp的电压值V5。

测量四、Yp接Vref+,Xn接Vref-,Xp和Yn浮空,测量Yn的电压值V6。则可得Rz=R3*(V6/V5-1)。

所述的3次测量方式如下:

测量一、Xp接Vref+,Xn接Vref-,Yp和Yn浮空,测量Yp的电压值V3,则可得R3=V3/4096*Rxplate。

测量二、同理,Yp接Vref+,Yn接Vref-,Xp和Xn浮空,测量Xp的电压值V1,则可得R6=V1/4096*Ryplate。

测量三、Yp接Vref+,Xn接Vref-,Xp和Yn浮空,测量Xp的电压值V5,则可得Rz=R3*(4096/V5-1)-R4。

也就是说,传统的4线制电阻式触摸屏系统是通过在X方向(X导电层)的电极对上施加一确定的电压,而Y方向(Y导电层)电极对上不加电压时,在X平行电压场中,触点处的电压值可以在Yp电极上反映出来,通过测量Yp电极对地的电压大小,便可得知触点的X坐标值Xposition。同理,当在Y电极对上加电压,而X电极对上不加电压时,通过测量Xp电极的电压,便可得知触点的Y坐标Yposition。即由于X导电层和Y导电层的电阻是线性分布的,因此可以得到触摸点的位置。如图2所示,为现有的4线电阻式触摸屏的AD转换器的内部测试Xposition方式示意图,当测量Xposition的时候,Yp接Vref+,Xn接Vref-,测量Xn电压可得Xposition的信息;如图3所示,为现有的4线电阻式触摸屏的AD转换器的内部测试Yposition方式示意图,当测量Yposition的时候,Xp接Vref+,Xn接Vref-,测量Yn电压可得Yposition的信息。

但是,现有技术仅支持对4线制电阻式触摸屏的单点触摸的检测,无法实现对4线制电阻式触摸屏的多点触摸的检测。

发明内容

本发明实施例提供了一种对触摸屏进行检测的方法及装置,用以检测4线制电阻式触摸屏上的多个触摸点的运动趋势。

本发明实施例提供的一种对触摸屏进行检测的方法包括:

通过比较触摸屏的两个导电层不同两端的电压值,确定所述触摸屏上的各个触摸点的所处区域;并且,

根据所述触摸屏的两个导电层不同两端的电压值,确定所述触摸屏上的各个触摸点在所处区域内的运动趋势信息。

本发明实施例提供的一种对触摸屏进行检测的装置包括:

区域判定单元,用于通过比较触摸屏的两个导电层不同两端的电压值,确定所述触摸屏上的各个触摸点的所处区域;

运动趋势判定单元,用于根据所述触摸屏的两个导电层不同两端的电压值,确定所述触摸屏上的各个触摸点在所处区域内的运动趋势信息。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中星微电子有限公司,未经北京中星微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810111921.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top