[发明专利]二维双层光纤阵列及其制作方法

权利要求书

1、一种二维双层光纤阵列，其特征在于，包括上下两层光纤阵列，每一层光纤阵列由至少一个V型槽组成，光纤被安放在V型槽内，采用固化胶固定。

2、根据权利要求1所述的二维双层光纤阵列，其特征在于，所述两层光纤阵列是制作于同一块硅片上，且分布于硅片的上下两个表面。

3、根据权利要求1所述的二维双层光纤阵列，其特征在于，所述V型槽采用双面光刻和各向异性刻蚀技术制作。

4、根据权利要求1所述的二维双层光纤阵列，其特征在于，所述双层光纤阵列中的同一层相邻光纤间隔是均匀的。

5、根据权利要求4所述的二维双层光纤阵列，其特征在于，所述同一层相邻光纤间隔为127微米或250微米。

6、根据权利要求1所述的二维双层光纤阵列，其特征在于，所述双层光纤阵列中的不同层的光纤一一对齐或相互错开。

7、根据权利要求6所述的二维双层光纤阵列，其特征在于，所述相互错开间距为63.5微米或125微米。

8、根据权利要求1所述的二维双层光纤阵列，其特征在于，所述固化胶为紫外固化胶。

9、根据权利要求1所述的二维双层光纤阵列，其特征在于，所述二维双层光纤阵列的端头抛光角度为0°或8°。

10、根据权利要求1所述的二维双层光纤阵列，其特征在于，所述二维双层光纤阵列封装后的结构包括双层V型槽阵列、双层阵列光纤、上下两块盖板以及双层连接器。

11、根据权利要求10所述的二维双层光纤阵列，其特征在于，所述双层连接器带有光纤接口，用于根据需要制作用于连接不同型号光纤的光纤接口。

12、根据权利要求10所述的二维双层光纤阵列，其特征在于，所述上下两块盖板均为V槽阵列，两块盖板制作时均采用与制作光纤阵列时相同的光刻掩膜板对硅片进行光刻，并进行各向异性腐蚀。

13、一种采用V型槽法，其特征在于，包括：

采用(100)单晶硅片作基底，对硅片进行热氧化，在上下两面分别生长二氧化硅层；

在硅片上下两面分别涂覆光刻胶层，采用双面光刻机中进行光刻；

经过煎烘，坚膜和显影得到光刻胶图形；

以光刻胶图形为掩膜，采用反应离子刻蚀去除腐蚀窗口的二氧化硅层；

去除光刻胶层，以剩余的二氧化硅层为掩膜，采用各向异性腐蚀剂通过湿法刻蚀在硅片的上下底面腐蚀出V型槽；

去除二氧化硅层，将光纤逐个放入两面的V型槽内，用紫外胶固化。

14、根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为200纳米至500纳米。

15、根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述各向异性腐蚀剂为碱性金属的氢氧化物腐蚀液。

16、根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述光刻胶图形为等间距的矩形，矩形宽度为36微米至45微米，相邻矩形的间距为250微米。

17、根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述双面光刻的精度达到1微米或亚微米量级。

18、根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述V型槽的槽侧面(111)面与基片上表面(100)面的夹角为54.74°。