[发明专利]一种高压变频器的旁路装置无效

专利信息
申请号: 200810112400.6 申请日: 2008-05-23
公开(公告)号: CN101299572A 公开(公告)日: 2008-11-05
发明(设计)人: 陈秋泉 申请(专利权)人: 北京合康亿盛科技有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 代理人: 练光东
地址: 100043北京市石景山*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 高压 变频器 旁路 装置
【权利要求书】:

1、一种高压变频器的旁路装置,其特征在于,所述装置包括:

主回路,所述主回路的两端分别与功率单元的单相全桥逆变电路的两个输出端连接,所述主回路中包括旁路开关;

控制器,与所述旁路开关连接,用于根据功率单元故障信号控制所述旁路开关的通或断;

控制电源,用于驱动所述旁路开关进行通或断,所述控制电源取自功率单元外接独立电源或所述功率单元中熔断器前端的交流电源。

2、如权利要求1所述的高压变频器的旁路装置,其特征在于,所述旁路开关为可控硅。

3、如权利要求2所述的高压变频器的旁路装置,其特征在于,所述主回路由4个二极管和1个可控硅组成,其中第1二极管的正极与第2二极管的负极与所述单相全桥逆变电路的一个输出端连接,第3二极管的正极与第4二极管的负极与所述单相全桥逆变电路的另一个输出端连接,第1二极管和第3二极管的负极接入可控硅的正极,第2二极管与第4二极管的正极接入可控硅的负极;

功率单元正常工作时,所述可控硅处于断开状态,主回路为开路;

控制器接收到功率单元故障信号时,发送控制信号,由控制电源驱动所述可控硅导通,导通后由所述可控硅与所述4个二极管组成双向导通回路,使功率单元中单相全桥逆变电路输出侧短路。

4、如权利要求1所述的高压变频器的旁路装置,其特征在于,所述旁路开关为接触器,包括接触器开关和接触器线圈,所述接触器开关的两端分别与单相全桥逆变电路输出侧两端连接,所述接触器开关的状态由接触器线圈是否通电控制,所述接触器的线圈是否通电由控制器控制;

功率单元正常工作时,所述接触器的线圈不通电,主回路为开路;

控制器接收到功率单元故障信号时,控制所述接触器的线圈通电,由控制电源驱动所述接触器闭合,使功率单元中单相全桥逆变电路输出侧短路。

5、如权利要求1所述的高压变频器的旁路装置,其特征在于,所述旁路开关为绝缘栅双极型晶体管。

6、如权利要求5所述的高压变频器的旁路装置,其特征在于,所述主回路由4个二极管和1个绝缘栅双极型晶体管组成,其中第5二极管正极与第6二极管的负极与所述单相全桥逆变电路的一个输出端连接,第7二极管的正极与第8二极管的负极与所述单相全桥逆变电路的另一个输出端连接,第5二极管和第7二极管的负极接入绝缘栅双极型晶体管的正极,第6二极管与第8二极管的正极接入可控的负极;

功率单元正常工作时,所述绝缘栅双极型晶体管处于关闭状态,主回路为开路;

控制器接收到功率单元故障信号时,发送控制信号由控制电源驱动绝缘栅双极型晶体管导通,导通后由绝缘栅双极型晶体管与所述4个二极管组成双向导通回路,使功率单元中单相全桥逆变电路输出侧短路。

7、如权利要求5所述的高压变频器的旁路装置,其特征在于,所述主回路由2个反向串联的绝缘栅双极型晶体管组成,第1绝缘栅双极型晶体管的集电极与单相全桥逆变电路的一个输出端连接,第2绝缘栅双极型晶体管的集电极与单相全桥逆变电路的另一个输出端连接,第1绝缘栅双极型晶体管的发射极与第2绝缘栅双极型晶体管的发射极连接;

功率单元正常工作时,所述2个反向串联的绝缘栅双极型晶体管处于关闭状态,主回路为开路;

控制器接收到功率单元故障信号时,发送控制信号由控制电源驱动绝缘栅双极型晶体管导通,所述单相全桥逆变电路输出侧输出正半波信号时,第1绝缘栅双极型晶体管与第2绝缘栅双极型晶体管的续流二极管组成回路,所述单相全桥逆变电路输出侧输出负半波信号时,第2绝缘栅双极型晶体管与第1绝缘栅双极型晶体管的续流二极管组成回路,使功率单元中单相全桥逆变电路输出侧短路。

8、如权利要求1所述的高压变频器的旁路装置,其特征在于,所述功率单元被包装在箱体内,所述旁路装置安装在所述箱体内或所述箱体外。

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