[发明专利]浅沟槽制作方法有效
| 申请号： | 200810112501.3 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101587835A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;沈满华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/3065;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 制作方法 | ||
1.一种浅沟槽制作方法，其特征在于，包括步骤：
提供表面覆盖有掩膜结构的半导体衬底，所述掩膜结构上形成有暴露半导体衬底的掩膜沟槽；
以掩膜结构为掩膜，在半导体衬底上刻蚀出与掩膜沟槽对应的衬底沟槽；
在掩膜结构表面形成保护层，且保护层填满掩膜沟槽和衬底沟槽；
刻蚀保护层，直至暴露掩膜结构且未暴露半导体衬底，其中保护层的界面位于掩模沟槽内；
刻蚀保护层、掩膜结构和半导体衬底，直至半导体衬底沟槽的顶角形成目标圆角。
2.如权利要求1所述的浅沟槽制作方法，其特征在于：所述刻蚀是各向异性等离子刻蚀。
3.如权利要求2所述的浅沟槽制作方法，其特征在于：所述的各向异性等离子刻蚀保护层、掩膜结构和半导体衬底的方法为栓塞回蚀法。
4.如权利要求1所述的浅沟槽制作方法，其特征在于：所述掩膜结构是氮化硅掩膜层、碳化硅掩膜层以及多晶硅掩膜层的单层结构或任意组合叠层结构。
5.如权利要求1所述的浅沟槽制作方法，其特征在于：所述掩膜结构是掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层依次叠加的叠层结构。
6.如权利要求1所述的浅沟槽制作方法，其特征在于：所述保护层的材料为底部抗反射层材料或光刻胶。
7.如权利要求1所述的浅沟槽制作方法，其特征在于：所述的在半导体衬底上刻蚀为利用包括由溴化氢、氦、氧以及六氟化硫等气体形成的等离子体刻蚀。
8.如权利要求1所述的浅沟槽制作方法，其特征在于：所述的刻蚀保护层直至暴露掩膜结构且未暴露半导体衬底所采用的刻蚀为利用包括氧气形成的等离子体刻蚀。
9.如权利要求1所述的浅沟槽制作方法，其特征在于：所述的刻蚀保护层、掩膜结构和半导体衬底所采用的刻蚀为利用包括四氟甲烷和氦等气体形成的等离子体刻蚀。
10.如权利要求1所述的浅沟槽制作方法，其特征在于：所述的用第一等离子体在半导体衬底上刻蚀出与掩膜沟槽对应的衬底沟槽的步骤之后，还包括用等离子刻蚀法修整所述衬底沟槽的步骤。
11.如权利要求10所述的浅沟槽制作方法，其特征在于：所述的等离子刻蚀法是以溴化氢和氧气的混合气体作为刻蚀气体的等离子刻蚀法。
12.如权利要求1所述的浅沟槽制作方法，其特征在于：所述的半导体衬底沟槽的顶角形成目标圆角之后，还包括去除衬底沟槽内保护层的步骤。
13.如权利要求12所述的浅沟槽制作方法，其特征在于：所述的去除保护层的步骤之后还包括修整衬底沟槽的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
