[发明专利]沟槽的形成方法无效
| 申请号： | 200810112504.7 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101587837A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;尹晓明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上形成介质层；
在介质层上形成牺牲层和光刻胶层；
图案化光刻胶层，定义出所要形成沟槽的形状；
以光刻胶层为掩膜，依次刻蚀牺牲层和介质层，在介质层中形成沟槽；
去除光刻胶层和牺牲层。
2.根据权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述牺牲层为单一层或者复合层。
3.根据权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述介质层和牺牲层具有不同的刻蚀选择比。
4.根据权利要求3所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述介质层为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、无掺杂硅酸盐玻璃、硼磷硅酸盐玻璃或者四乙氧基硅烷或者上述材料的任意组合。
5.根据权利要求3所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述牺牲层为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、无掺杂硅酸盐玻璃、硼磷硅酸盐玻璃或者四乙氧基硅烷或者上述材料的任意组合。
6.根据权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为500埃～1500埃。
7.根据权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的形成方法为化学气相淀积法或者等离子体增强化学气相淀积法。
8.根据权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述刻蚀牺牲层和介质层的方法为干法刻蚀法或者湿法刻蚀法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
