[发明专利]半导体器件互连结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供具有层间介质的半导体器件互连结构基体；

在半导体器件互连结构基体上形成复合介质层；

所述形成复合介质层的方法包括：

在层间介质上依次形成底部盖层和顶盖光刻胶层；

图案化顶盖光刻胶层，定义出夹心层沟槽的形状；

以顶盖光刻胶层为掩膜，刻蚀底部盖层至所需深度，形成夹心层沟槽；

在夹心层沟槽中形成夹心层；

在底部盖层和夹心层表面形成顶部盖层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，所述层间介质中具有空气隙开口或者所述层间介质为多孔的低介电常数材料。

3.根据权利要求1所述的半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，所述形成夹心层的方法为溅射法。

4.根据权利要求1所述的半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，所述夹心层具有平面图案。

5.根据权利要求4所述的半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，所述平面图案包括平行直线、相交直线或者各种规则和不规则的几何图形。

6.根据权利要求4所述的半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，所述平面图案在水平方向上占据整个底部盖层或者占据底部盖层的一部分。

7.一种半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供具有层间介质的半导体器件互连结构基体；

在半导体器件互连结构基体上形成复合介质层；

所述形成复合介质层的方法包括：

在层间介质上形成底部盖层；

在底部盖层中形成第一夹心层沟槽；

在所述第一夹心层沟槽中形成第一夹心层；

在底部盖层和第一夹心层表面形成中间盖层；

在中间盖层中形成第二夹心层沟槽；

在所述第二夹心层沟槽中形成第二夹心层；

在中间盖层和第二夹心层表面形成顶部盖层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，所述层间介质中具有空气隙开口或者所述层间介质为多孔的低介电常数材料。

9.根据权利要求7所述的半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，所述形成第一夹心层和第二夹心层的方法为溅射法。

10.根据权利要求7所述的半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一夹心层和第二夹心层具有平面图案。

11.根据权利要求10所述的半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，所述平面图案包括平行直线、相交直线或者各种规则和不规则的几何图形。

12.根据权利要求10所述的半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，所述平面图案在水平方向上占据整个底部盖层或者占据底部盖层的一部分。

13.一种半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供具有层间介质的半导体器件互连结构基体；

在半导体器件互连结构基体上形成复合介质层；

所述形成复合介质层的方法包括：

在层间介质上形成底部盖层；

在底部盖层中形成夹心层沟槽，在所述夹心层沟槽中形成夹心层，所述夹心层具有倒阶梯形状；

在底部盖层和夹心层表面形成顶部盖层。

14.根据权利要求13所述的半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，所述层间介质中具有空气隙开口或者所述层间介质为多孔的低介电常数材料。

15.根据权利要求13所述的半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，所述形成夹心层的方法为溅射法。

16.根据权利要求13所述的半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，所述夹心层具有平面图案。

17.根据权利要求16所述的半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，所述平面图案包括平行直线、相交直线或者各种规则和不规则的几何图形。

18.根据权利要求16所述的半导体器件互连结构的制作方法，其特征在于，所述平面图案在水平方向上占据整个底部盖层或者占据底部盖层的一部分。