[发明专利]形成半导体互联结构的方法有效
| 申请号： | 200810112509.X | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101587859A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;尹晓明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 联结 方法 | ||
1.一种形成半导体互联结构的方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有内金属层，内金属层上具有电介质层；
于氧化氛围下在电介质层上刻蚀出通孔直至暴露内金属层；
用含有氢的还原性等离子体处理所述内金属层，且所述含有氢的等离子体处理所述内金属层的工艺条件为氢气的流量180sccm至220sccm；压力为15mTorr至25mTorr；功率为600W至1000W；时间为15秒至25秒；
在通孔中填充金属材料。
2.如权利要求1所述的形成半导体互联结构的方法，其特征在于：所述的于氧化氛围下在电介质层上刻蚀出通孔直至暴露内金属层步骤之后，还包括修整所述通孔的步骤。
3.如权利要求2所述的形成半导体互联结构的方法，其特征在于：所述的修整为采用以氧气和氩气的混合气体作为刻蚀气体的等离子刻蚀，其中氧气的流量是25sccm至35sccm，氩气的流量是270sccm至330sccm；刻蚀的压力是25mTorr至35mTorr；刻蚀功率为100W至300W；刻蚀时间为5秒至15秒。
4.如权利要求1所述的形成半导体互联结构的方法，其特征在于：所述的内金属层的材料包括铜或含铜的金属。
5.如权利要求1所述的形成半导体互联结构的方法，其特征在于：所述的氧化氛围下刻蚀为采用以四氟化碳、氩气和氧气的混合气体作为刻蚀气体的等离子刻蚀，其中四氟化碳的流量是40sccm至60sccm，氩气的流量是135sccm至165sccm，氧气的流量是20sccm至30sccm；刻蚀的压力是25mTorr至35mTorr；刻蚀功率是100W至300W；刻蚀的时间是35秒至45秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
