[发明专利]通孔形成方法有效
| 申请号： | 200810113993.8 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101593723A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 陈国海;苏娜;胡宇慧;杨瑞鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
1.一种通孔形成方法，其特征在于，包括：
在基底上形成介质层；
图形化所述介质层，形成接触孔；
形成覆盖所述接触孔侧壁及底壁的粘接基层；
在所述粘接基层上形成经历无机化操作的第一粘接屋；
在所述第一粘接层上形成经历无机化操作的第二粘接层；
形成覆盖所述第二粘接层并填充所述接触孔的金属层，形成所述金属层的步骤包括：形成覆盖所述第二粘接层的第一金属核层；在所述第一金属核层上形成第二金属核层，所述第二金属核层内的晶粒尺寸大于所述第一金属核层内的晶粒尺寸；形成覆盖所述第二金属核层并填充所述接触孔的金属填充层。
2.根据权利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于，形成所述第一粘接层的步骤包括：
在所述粘接基层上形成粘接层；
去除所述粘接层表层；
对已去除所述表层的粘接层执行无机化操作，作为所述第一粘接屋。
3.根据权利要求1或2所述的通孔形成方法，其特征在于，形成所述第二粘接层的步骤包括：
在所述第一粘接层上形成粘接层；
去除所述粘接层表层；
对已去除所述表层的粘接层执行无机化操作，作为所述第二粘接层。
4.根据权利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于：所述第一粘接层及/或第二粘接层为氮化钛。
5.根据权利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于，形成所述粘接基层的步骤包括：在厚度T0的所述粘接基层上形成厚度为T1的粘接基层。
6.根据权利要求5所述的通孔形成方法，其特征在于：厚度T0+T1的范围为120-200埃。
7.根据权利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于，在形成接触孔之后、形成所述粘接基层之前，还包括：对所述接触孔执行除气操作。
8.根据权利要求7所述的通孔形成方法，其特征在于：执行所述除气操作时的温度范围为400-450摄氏度。
9.根据权利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于：形成所述第一金属核层、第二金属核层及/或金属填充层时采用金属CVD工艺。
10.根据权利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于：形成所述第一金属核层时，反应气体包含硅烷和WF6。
11.根据权利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于：形成所述第二金属核层时，反应气体包含硼烷和WF6。
12.根据权利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于：形成所述第二金属核层时，反应温度范围为350-410摄氏度。
13.根据权利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于：形成所述金属填充层时，反应气体包含氢气和WF6。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
